Разогрев - носитель
Cтраница 1
Разогрев носителей в сильном электрическом поле может приводить к образованию и S-образных ВАХ. Образование S-образных ВАХ возможно, как известно, и в полупроводниковых структурах с инжектирующими р-л-переходами. [1]
 |
Траектории электронов. а, б-в однородном постоянном. [2] |
Разогрев носителей в высокочастотном поле имеет два важных преимущества-отсутствие контактов в сильных электрич. [3]
Приступают к разогреву носителя горячим, воздухом ( при этом выполняют те же операции, что и при сушке ап. [4]
Приступают к разогреву носителя в ап. [5]
 |
Схема включения образца для наблюдения токовой неустойчивости. [6] |
Первой причиной является разогрев носителей. [7]
Падающее излучение за счет светового разогрева носителей изменяет параметры Dn, Dp, in, Цр и Тя, тр. Усиление фототока при этом может достигать нескольких порядков. [8]
Несферичность изоэнергетических поверхностей существенно изменяет условия разогрева носителей тока в кристалле. В слабом Е электропроводность а я - Qe из-за кубической симметрии кристалла изотропна. Наложение сильного Е приводит к снижению симметрии кристалла. Если приложенное Е не слишком деформирует /, тогда тензор а каждого из эллипсоидов будет сохранять свой вид, но возникнет зависимость компонент а и о от п, если вектор Е ориентирован так, что разогрев носителей тока в разных долинах будет различным. [9]
Импульсная мощность измеряется также ваттметрами, использующими образцы полупроводника с неоднородным разогревом носителей заряда в электрическом поле. В метрологической практике широко используются методы, использующие сравнение импульсной мощности с мощностью непрерывной генерации. Сравнение производится обычно с помощью осциллографа. [10]
 |
Зависимость дрейфовой скорости и подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля. [11] |
При относительно малых температурах, при которых подвижность носителей заряда определяется в основном процессом рассеяния на ионизированных примесях, разогрев носителей электрическим полем приводит к уменьшению времени нахождения носителя в поле ионизированной примеси, т.е. к уменьшению рассеяния носителя и, следовательно, к увеличению подвижности. Таким образом, увеличение подвижности с увеличением напряженности электрического поля в полупроводниковых приборах может происходить только при очень низких температурах. [12]
Как и в работе [ Ю ], мы наблюдали насыщение проводимости а при низких температурах ( Т 200 мК), которое может быть обусловлено разогревом носителей. [13]
По виду первичного преобразования энергии различают следующие методы измерения мощности на СВЧ: тепловые ( калориметрический, терморезисторный, термоэлектрический), пондеромо-торный, методы, использующие выпрямление, эффект Холла, разогрев носителей заряда в СВЧ электрическом поле, нелинейные свойства ферритов и некоторые другие. [14]
 |
Различные виды вольт-амперных характеристик полупроводников в сильных электрических полях. 1 -линейная ( омическая. г - сублинейная. 3 - суперлинейная. 4 - N-образная. 5 - S-образная. [15] |
Страницы: 1 2