Многослойное диэлектрическое зеркало

Cтраница 2

Модулятор, конструкция которого показана на рис. 8.14, предназначен для стыковки с ЭОП или ЭЛТ через ВОП. Считывание с такого модулятора осуществляется на отражение. Для этого в структуре ПВМС имеется многослойное диэлектрическое зеркало, изготавливающееся так, что оно отражает красный считывающий свет и пропускает синий записывающий свет с люминофора, находящегося на выходной ВОП ЭОП или ЭЛТ. Модулятор такой конструкции является универсальным ПВМС, который в сочетании с ЭЛТ можно рассматривать как электрически управляемый, а в сочетании с ЭОП - как высокочувствительный оптически управляемый модулятор. [16]

В этом устройстве сочетаются высокое быстродействие и чувствительность с малым энергопотреблением. Его основными элементами являются фотокатод и микроканальная пластина, сфокусированная на пластину из электрооптического кристалла; между микроканальной и электрооптической пластинами закреплена ускоряющая фотоэлектроны сетка. На электрооптический кристалл с одной стороны нанесено многослойное диэлектрическое зеркало, с другой - прозрачный электрод. Все устройство размещено в корпусе с окнами для прохода записывающего и считывающего света и выхода света, испытавшего функциональное воздействие процессора. [17]

На частотах УФ - и ВУФ-диапазонов при умеренных давлениях можно считать, что ширина линии AVQ определяется доплеровским уширением. В этом случае Av0 - VQ и dP IdV увеличивается как vjj. Таким образом, если мы, к примеру, перейдем из зеленой области ( X 500 нм) всего лишь в мягкий рентген ( К ж 10 нм), то длина волны уменьшится в 50 раз, a dPnop / dV увеличится на несколько порядков. С практической точки зрения заметим, что многослойные диэлектрические зеркала в рентгеновской области обладают большими потерями и трудны в изготовлении. Основная проблема состоит в том, что в этом диапазоне разница в показателях преломления различных материалов оказывается очень малой. Поэтому для получения приемлемых коэффициентов отражения необходимо использовать большое число ( сотни) диэлектрических слоев, а рассеяние света на столь большом числе поверхностей раздела приводит к очень большим потерям. [18]

Схема измерения перемещений теневым методом с применением ОКГ. [19]

Первая половина луча, проходя систему зеркал, попадает на приемное устройство, минуя исследуемый объект. Этот луч является опорным. Вторая половина луча направляется на объект, отразившись от которого, она попадает на приемное устройство. Таким образом, на приемном устройстве складываются опорный и отраженный от исследуемого объекта лучи. Первое зеркало яв ляется светоделительным. Если в качестве такового использовано многослойное диэлектрическое зеркало, то, поворачивая последнее, можно в широких пределах менять коэффициент отражения. Это позволяет устанавливать необходимое соотношение между энергиями опорного и сигнального лучей. [20]

Страницы: 1 2