Разработка - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Разработка пленочных полупроводниковых приборов требует решения трех задач: создания полупроводниковых пленок, обеспечения стабильности состояния поверхностей ( определяющих стабильность параметров) и надежного крепления выводов. [1]
 |
Классификация фотошаблонов по требованиям к параметрам. [2] |
Два основных направления в разработке полупроводниковых приборов определяют требования к фотошаблонам. Первое - разработка мощных высокочастотных СВЧ транзисторов. [3]
Основным способом применения электроинтегратора при разработке полупроводниковых приборов является метод подбора. При этом в качестве первого приближения выбирается какая-либо конфигурация прибора и параметры материалов, а затем, варьируя этими величинами и измеряя интересующие нас характеристики прибора, можно добиться получения оптимальной конструкции. По сравнению с аналогичным подбором оптимальной конструкции путем изготовления ряда приборов, отличающихся размерами и свойствами материала, использование электроинтеграторов имеет существенное преимущество. Это преимущество состоит в том, что отпадает необходимость изготовления технологической оснастки, исключается разброс параметров из-за влияния случайных факторов. [4]
Технология ионного легирования является первым шагом на пути к разработке полупроводниковых приборов на основе молекулярной электроники в буквальном смысле этого слова. [5]
 |
Влияние времени диффузии на перераспределение примеси фосфора в кремний р-типа из конечного источника.| Профиль концентраций для диффузионных р-п - р. [6] |
Поскольку технолога интересует создание определенного профиля концентраций, заданного при разработке полупроводникового прибора в ИМС, то расчет диффузии проводится для каждой области прибора. [7]
С помощью осциллографов можно, например, осуществлять измерения переходных процессов при разработке полупроводниковых приборов, очень точные измерения фазовых соотношений, непосредственные измерения физических величин, которые могут быть преобразованы в электрические сигналы соответствующими датчиками. [8]
Прогресс в этих областях техники может быть обеспечен только на основе достижений в области разработки сверхбыстродействующих полупроводниковых приборов, в первую очередь импульсных диодов, время переключения которых лежит в диапазоне длительностей, существенно меньших чем 1 нсек. [9]
Книга предназначена для весьма широкого круга читателей - студентов старших курсов вузов и аспирантов, специализирующихся в области электроники; инженерно-технических работников, занимающихся применением и разработкой полупроводниковых приборов; преподавателей вузов. [10]
Решение этой проблемы будет, по всей видимости, связано с разработкой полупроводниковых приборов, работающих на совершенно новых принципах, отличающихся от известных сегодня так же значительно, как отличается принцип действия магнетрона от принципа действия обычной вакуумной лампы - триода и пентода. Первые шаги в этом направлении сделаны с появлением генераторов Ганна и генераторов с ограничением накопления пространственного заряда. [11]
Логические ИМС - находят широкое применение в измерительной технике. Они дают возможность значительно увеличить число измеряемых параметров и повысить точность измерений, в частности существенно улучшить параметры осциллографов. При отображении цифровых сигналов синхронизация развертки с помощью логической пусковой схемы позволяет получить более стабильные изображения на экране электронно-лучевой трубки, а добавление к осциллографу схемы умножения - отображать на экране произведение двух входных сигналов и определять те м самым корреляцию между ними. С помощью осциллографов можно, например, осуществлять измерения переходных процессов при разработке полупроводниковых приборов, очень точные измерения фазовых соотношений, непосредственные измерения физических величин, которые могут быть преобразованы в электрические сигналы соответствующими датчиками. [12]
Омические переходы имеют очень большое значение в полупроводниковых приборах и при проведении исследований полупроводников. Случаи отказов и производственного брака полупроводниковых приборов из-за низкого качества омических переходов довольно часты. При разработке полупроводниковых приборов создание совершенных омических переходов нередко требует больших усилий, чем создание выпрямляющих переходов. [13]
Успешное решение этой задачи возможно лишь при наличии полупроводниковых материалов, сочетающих в себе нагревостой-кость и высокие электрофизические характеристики. Из таких материалов наиболее перспективны полупроводники с широкой запрещенной зоной - фосфид галлия и карбид кремния. Получение этих материалов связано с рядом технических трудностей, обусловленных высокой температурой плавления и невозможностью получения расплава при нормальном давлении. Поэтому фосфид галлия и карбид кремния в виде монокристаллов полупроводниковой чистоты известны сравнительно недавно. Тем не менее за последнее десятилетие достигнуты значительные успехи в технологии получения этих материалов, в разработке полупроводниковых приборов на их основе. [14]
Фирмой Интернэйшнл бизнес мэшинс построено экспериментальное арифметическое устройство, выполняющее операции по последовательному принципу над 16-значными двоичными числами. Двоичные знаки представляются импульсами, следующими друг за другом через интервалы 20 ммксек. Основными элементами в устройстве являются диоды и электронные лампы. Одной из необычных характеристик этого устройства является взаимная зависимость пространства и времени из-за чрезвычайно высоких скоростей работы. Кусок такого кабеля соответствующей длины используется в качестве линии задержки. Наибольшая трудность при разработке сверхбыстродействующих устройств заключается в получении диодов с достаточно малым временем переключения. Хотя кажется довольно очевидным, что можно разработать достаточно быстродействующие переключающие диоды, у электронных ламп предел увеличения скорости переключения, по-видимому, уже достигнут. Дальнейшая работа должна быть, очевидно, направлена на разработку полупроводниковых приборов с необходимыми скоростями переключения. [15]
Страницы: 1