Разработчик - схема
Cтраница 4
В этом разделе дается основная классификация транзистора или серии. Она включает номер прибора, материал, тип прибора ( п-р - п или р-п - р), метод изготовления, основное назначение транзистора. Из этого описания разработчик схем может быстро определить транзистор или серию транзисторов, подходящих для его целей. Однако при окончательном выборе транзистора для данной конкретной цели необходимо рассмотреть все электрические характеристики, чтобы быть уверенным, что транзистор наилучшим образом удовлетворяет всем поставленным требованиям. [46]
Переходные процессы переключения СИТ основаны на сложной природе физических явлений, протекающих в структуре прибора. Данные процессы описываются нелинейными дифференциальными уравнениями второго порядка, которые с трудом удается приводить к более простым аналитическим формам, содержащим, к тому же, большое количество электрофизических параметров. Это не совсем удобно для разработчиков схем, оперирующих, главным образом, стандартными справочными данными и характеристиками. Поэтому при описании работы ключа ( 6.17) главное внимание будет обращено на сущность физических этапов переключения и их влияние на стандартные временные параметры. [47]
 |
Формула надежности.| График надежности при последовательном соединении компонентов.| График надежности при параллельном соединении компонентов.| Практический пример к. [48] |
Когда профессионалы говорят о безопасности и призывают к созданию безопасных машин, они имеют в виду безопасность всей машины или системы. Тем не менее, это всего лишь общее и недостаточно четкое понятие для проектировщиков систем управления. Следующее определение безопасности может быть практичным и полезным для разработчиков схем управления: безопасность - это способность системы управления функционировать в рамках предписанных ограничений в течение установленного периода времени, даже при сбоях. [49]
Температура удвоения тока также зависит от температуры, однако для транзисторов, имеющих большой ток утечки, с достаточной точностью можно использовать некоторую постоянную температуру удвоения тока во всем рабочем диапазоне температур. Для кремниевых транзисторов обычно пользуются величиной Д7 равной 10 С, а для германиевых транзисторов ДГ14 С. Однако применение этой аппроксимации к транзисторам, имеющим малые утечки ( таким, как планарные транзисторы), может вызвать у разработчика схем затруднения, особенно в области низких температур. Величина ДГ 10 С верна при температурах свыше 130 С для кремниевых транзисторов с низкими токами утечки, но при 25 С ( комнатная температура) находим, что ДГ5 97 С. Очевидно, что применение эмпирической величины ДГ 10 С к значению / Кбо, измеренному при комнатной температуре, приведет к величинам, слишком далеким от действительных значений / Кбо при более высоких температурах. [50]
Таким образом, строгий расчет по методу максимума - минимума возможен только в очень редких случаях. Гораздо чаще расчет по этому методу ведется следующим образом. Полученные таким путем максимальные и минимальные величины параметров и коэффициентов, учитывающих их температурные и режимные зависимости, считаются характерными для всех приборов данного типа и используются в расчетах на наихудший случай. Конечно, редко разработчик схемы проделывает самостоятельно всю эту работу. Чаще он использует литературные данные, полученные, однако, именно таким путем. [51]
Элементы эквивалентной схемы выражаются через фундаментальные параметры. Характеристики прибора, включенного в схему, легко связываются с параметрами самого прибора. В этом случае теория приборов и теория цепей тесно переплетаются. С течением времени задачи разработчика схем и разработчика приборов все теснее сближаются. [52]
Страницы: 1 2 3 4