Квазибинарный разрез

Cтраница 3

В следующей работе этих же авторов [278] методом рентгено графического анализа была получена линия солидуса, также сответствующая образованию твердого раствора в исследуемом квазибинарном разрезе. [31]

Образование достаточно развитых областей твердых растворов на основе металла V-VI групп в тройных системах Mev-vi - Me ( iv) - X и на квазибинарных разрезах Mey-vi - MeivXra очень важно, так как позволяет реализовать дисперсионное упрочнение путем старения и благоприятствует технологической пластичности сплавов. [32]

Изотермы вязкости расплавов в системе Ge-In - Sb.| Изотермы вязкости расплавов в системе Ge - Ga - Sb. [33]

Если сравнить зависимости, полученные на сплавах разрезов при различном содержании германия, то нетрудно видеть, что при меньшем содержании германия максимумы на изотермах вязкости начинают размываться и смещаться с квазибинарного разреза Ge - AmSb при более высоких температурах, чем в случае более высокого содержания германия. [34]

Стабильные диагонали этих систем 2 ( СаО - 6А1203) - CaUO4, 2 ( SrO - 6Al2O3) - SrUO4 и 2 ( BaO A1203) - BaUO4, являющиеся квазибинарными разрезами, разбивают взаимные системы на две, каждая из которых имеет все элементы простой тройной системы. Если составы образцов систем A3UO6 - А12О3 ( А Са, Sr, Ba), приведенные в табл. 9.2, пересчитать по уравнениям ( 2), то фигуративные точки расположатся на нестабильных диагоналях диаграмм состояния, и тогда выражение система A3UOe - А12О3 будет лишено смысла. В самом деле, все образцы системы Ba3UO6 - A12O3, содержащие в своем составе на каждый моль Ba3UO6 менее двух молей А12О3, по существу принадлежат к тройной системе 2 ( ВаО - А12О3) - Ba3UO6 - BaUO4, ибо в равновесном состоянии в них находятся только эти компоненты. [35]

Поэтому с нашей точки зрения в качестве сложных искомых жаропрочных сплавов в первую очередь необходимо использовать слабогетерогенные тройные или четверные сплавы типа сплава X ( рис. 4), лежащие, главным образом, на указанных квазибинарных разрезах или вблизи от них, и усложнять их новыми перспективными добавками. [36]

Разрез А1 - S квазибинарный, отвердевание на нем заканчивается выделением эвтектики OAI S при 512 С. Другим квазибинарным разрезом является разрез U-Mg. Двойная эвтектика U - f - 6ц кристаллизуется при 560 С. [37]

Влияние содержания магния и марганца на механические свойства прутков из сплава AI 3 8 % Си ( а и Al 4 8 % Си ( б в закаленном и естественно состаренном состоянии [ 16, с. 258 ]. [38]

Отклонение от квазибинарного разреза ( менее 1 2 % Mg и больше 2 % Mg) приводит к уменьшению длительной прочности. Особенно быстро понижается длительная прочность у сплавов, содержащих повышенные количества магния - 3 % и более. [39]

Согласно работе [3], процесс образования тройных алма-зоподобных соединений типа AIBIIICYI можно рассматривать как растворение халькогенида одновалентного металла ( A CVI) в халькогениде трехвалентного металла ( В1 11 CJ1) и образование надструктурной фазы в области твердых растворов. Ввиду этого в литературе наиболее подробно исследованы квазибинарные разрезы вида A CVI - В. [40]

Энергия ковалентно-ионной увязанности Воду, температуры плавления и разложения Гр [ б ] и стеклообразующая способность соединений А В С Y.| Диаграмма состояния [ 6, с. 190. 297 ] и область стеклообразования ( заштрихована в системе Cd - Ge - As. [41]

Из систем AI ] BIVBV наиболее хорошо изучена система Cd-Ge-As. Построена диаграмма состояния этой системы ( рис. 42) и квазибинарного разреза Ge - CdAs2 ( рис. 43), имеющего эвтектический характер. Соединение CdGeAs2 плавится без разложения. [42]

Проблема получения сильнолегированных полупроводников, особенно полупроводников re - типа, с максимально возможной концентрацией основных носителей представляет существенный интерес. В работе [1] показано, что предельная концентрация электронов в антимониде индия, легированном теллуром, зависит от состава кристалла и в монокристаллах, выращенных из расплавов, состав которых находится на квазибинарном разрезе InSb - InTe, она выше, чем в кристаллах, выращенных из расплавов, состав которых лежит на разрезе InSb-Те. Высказано предположение, что при выращивании монокристаллов твердого раствора на основе антимонида индия из расплавов, составы которых лежат на разрезе InSb-InTe, теллур встраивается в антимонид индия в виде изоструктурных индий-теллуровых комплексов. [43]

На основании данных, полученных при изучении сплавов циркониевого угла системы цирконий - ниобий - хром, закаленных в интервале температур 1300 - 600, построена проекция диаграммы состояния циркониевого угла системы ( рис. 2, а) и составлена схема реакций ( рис. 2, б) моно - и нонвариантных равновесий. Из работы [5] известно, что в системе цирконий - ниобий - - хром между химическими соединениями ZrCr2 и NbCr2, которые обладают изоморфными решетками и конгруэнтно плавятся при близких температурах, существует квазибинарный разрез. Оба соединения неограниченно растворяются друг в друге до комнатной температуры. Возникающее в двойной системе Nb - NbCr2 равновесие L1 Рмь NbCr2, при котором из жидкости выделяется химическое соединение NbCr2 и твердый раствор на основе ниобия, переходит при понижении температуры в тройную систему, при этом из жидкости выделяется химическое соединение переменного состава ( Zr, Nb) Cr2 и твердый раствор Ркь - 2г Заканчивается трехфазное равновесие в точке L2 системы Zr - Сг. [44]

Изотермы вязкости расплавов в системе Ge - Al-Sb.| Изотермы вязкости расплавов в системе Si - Al - Sb. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5