Частный разрез

Cтраница 2

Некоторые сведения о системе приводит Штейнберг [1], изучавшая частный разрез SrSi03 - ZnSi03 методом закалки. Обнаружено одно тройное соединение 3SrO - ZnO - 4Si02, плавящееся инконгруэнтно при 1390 с разложением на SrSi03 и жидкость. Вблизи метасиликата цинка обнаружена область несмешивающихся жидкостей. [16]

Логарифмы вязкости стекол системы SiCb - Na2SiO3 - PbSiOj при температуре 1000.| Логарифмы вязкости стекол. [17]

На рис. 251 - 254 представлены изотерма lg вязкости для некоторых частных разрезов натриево-овинцово-силикатной системы. [18]

Изучена Егером и Гермсом [1]; результаты представлены на рис. 339 для частного разреза РЬО-РЬСг04. Соединение А8В ( АРЬО, ВСг03) устойчиво ниже 815 С. [19]

Наиболее рациональным следует признать второй метод, Так как он дает наибольшую уверенность в том, что равновесия, изучаемые в частных разрезах тетраэдра, будут действительно трех-компонентными, что значительно упрощает задачу по обработке экспериментальных данных. [20]

Наиболее рациональным следует признать второй метод, так как он дает наибольшую уверенность в том, что равновесия, изучаемые в частных разрезах тетраэдра, будут действительно трехкомпонент-ными, что значительно упрощает задачу по обработке экспериментальных данных. [21]

Границы полей первичной кристаллизации некоторых фаз в системе MgO - СаО - - АЬОз-Si02. [22]

Четырехкомпонентные системы менее изучены, чем двух - и трехкомпонентные. В других системах изучены лишь частные разрезы, относящиеся к отдельным фазовым треугольникам. Система MgO - СаО - А12О3 - SiO2 имеет большое значение для технологии огнеупоров, цементов, стекла, ситаллов, каменного литья, базальтовых волокон и других технических продуктов. [23]

Метаморфические отложения слагают в основном крылья антиклинальных поднятий и по данным большинства исследователей соотношение между подсвитами носит постепенный характер. Минеральный состав юмагузинской свиты по площади неустойчив и в частных разрезах определяется количественными соотношениями в породах граната, глаукофана и альбита. [24]

Ориентировочная область метастабильной ликвации в системе. [25]

Согласно Галахову, подобное поведение натриевоборосиликатных стекол, аналогичных известным стеклам Ви-кор, обуславливается наличием в рассматриваемой области диаграммы ме-тастабильной субсолидусной области микроликвации этих стекол. Схематически эта область показана на рис. 4, г представляющем частный разрез Na20 4В203 - Si02 вышеназванной трехкомпо-нентиой диаграммы. [26]

Фторфлогопит как химическое соединение в системе К2О - MgO - MgF2 - А12О3 - SiO2 представлен точкой в частном разрезе лейцит - форстерит - селлаит на соединительной линии между лейцитом и фторнорбергитом. Состав фтор-флогопитовых шихт отличается от теоретического содержанием отдельных компонентов, что вызвано использованием веществ различной степени чистоты, ошибками анализов, поглощением влаги компонентами. В расплаве происходит дифференциация элементов, обусловленная улетучиванием наиболее подвижных из них, образованием различных высокотемпературных соединений и гравитационным их опусканием. Представляет интерес изучение влияния содержания в шихте основного состава 0 5 K2O - 2MgOx XMgF2 0 5Al2O3 - 3SiO2 отдельных компонентов на кристаллизацию фторфлогопита. [27]

Фторфлогопит как химическое соединение в системе К2О - MgO - MgF2 - А12Оз - SiO2 представлен точкой в частном разрезе лейцит - форстерит - селлаит на соединительной линии между лейцитом и фторнорбергитом. Состав фтор-флогопитовых шихт отличается от теоретического содержанием отдельных компонентов, что вызвано использованием веществ различной степени чистоты, ошибками анализов, поглощением влаги компонентами. В расплаве происходит дифференциация элементов, обусловленная улетучиванием наиболее подвижных из них, образованием различных высокотемпературных соединений и гравитационным их опусканием. Представляет интерес изучение влияния содержания в шихте основного состава 0 5 K2O - 2MgOX XMgF2 0 5Al2O3 3SiO2 отдельных компонентов на кристаллизацию фторфлогопита. [28]

Рассмотрим разрез второй системы. Если он имеет а точек пересечения с разрезами первой системы, то его надо считать за flj-f 1 отдельных разрезов, итак как каждый из этих частных разрезов увеличит число областей на единицу, то после проведения этого разреза через разрезы первой системы получим я2 ( i 1) поверхностей. [29]

Логарифмы вязкости стекол системы Na3Sia05 - PbSi03 при различных температурах. [30]

Страницы: 1 2 3