Cтраница 2
Так, при 900 С даже чистая двуокись углерода ( lg po - 5 57), является окислительной средой по отношению к твердым растворам MibrFes - iQi v ( 0я0 25), которые распадаются на a - Fe2O3 и шпинель, обогащенную марганцем. Изотермические разрезы диаграммы состояния Мп3О4 - Fe3O4 - О позволяют сделать следующие выводы. [16]
Как уже отмечалось, изображение диаграммы состояния с газами осложняется тем, что фазовое равновесие определяется не только температурой, но и такими параметрами, как давление азота, давление разложения образующихся нитридов MeiyN, поэтому все диаграммы, состояния с азотом можно рассматривать как псевдоравновесные для данной температуры. На рис. 52, 79 изображены изотермические разрезы диаграмм состояния систем ниобий-титан, цирконий, гафний-азот при близких к солидусу сплавов температурах. [17]
В результате образуется диффузионный слой, на поверхности которого концентрация диффундирующего элемента наибольшая; по мере удаления от поверхности концентрация падает ( рис. 256), глубина проникновения ( у на рис. 256) будет представлять собой толщину слоя. Так обстоит дело, если диффундирующий элемент образует с металлом систему непрерывных твердых растворов. Если, однако, насыщающий элемент В образует с металлом А систему сплавов с ограниченной растворимостью и с химическими соединениями ( рис. 257 а), то строение слоя будет определяться изотермическим разрезом диаграммы состояния этой системы при температуредиффузионного нясыщения. [19]
В результате образуется диффузионный слой, на поверхности которого концентрация диффундирующего элемента наибольшая; по мере удаления падает ( рис. 256), глубина проникновения ( у на рис. 256) будет представлять собой толщину слоя. Так обстоит дело, если диффундирующий элемент образует с металлом систему непрерывных твердых растворов. Если, однако, насыщающий элемент В образует с металлом А систему сплавов с ограниченной растворимостью и с химическими соединениями ( рис. 257 а), то строение слоя будет определяться изотермическим разрезом диаграммы состояния этой системы при температуре диффузионного насыщения. [21]