Временное разрешение

Cтраница 1

Электрооптический стробоскопический метод ( по. о - экспериментальное устройство с электрооптическим кристаллом и компланарной полосковой линией. б - электрический отклик ключа на кристалле Cr. QaAs. Время нарастания сигнала от 10 до 90 % составляет 460 фс. [1]

Временное разрешение существенно зависит от времени пробега TW электрического сигнала через перетяжку пробного пучка и времени пробега т0 пробного импульса через область наведенного поля. Время пробега ттг может быть уменьшено за счет лучшей фокусировки и уменьшения перетяжки пробного пучка. [2]

Временное разрешение рассмотренных выше методов, использующих в качестве импульсов возбуждения излучение лазеров с синхронизацией мод, в основном определяется фотоэлектрической системой регистрации. Временное разрешение может быть кардинальным образом повышено, если применить вместо фотоумножителя с электронными приборами, представленными на рис. 9.2, скоростной фоторегистратор ( см. гл. Отдельный импульс лазера, используемый в качестве возбуждающего, должен одновременно управлять временной разверткой регистратора. Изображение может быть обработано с временным разрешением до нескольких пикосекунд. [3]

Временное разрешение, во-первых, определяется теми же эффектами, что и в фотоэлектрических приемниках: разброс времени выхода из катода A IO 13 с и разброс времени пролета вследствие разброса начальных скоростей. Последний эффект характеризуется порядком 10 - 12 с для хорошей электронно-оптической отображающей системы. Определяющим для этого эффекта является ускорение электронов в начале пути пролета и его влияние на напряженность поля вблизи катода. [4]

Детектор преобразователя теплового изображения. 1 - пленка, поглощающая инфракрасные лучи ( Ni, An. 2 - тонкая пленка А12О. 3 - соединение BiCs, обладающее фотоамиесией, резко зависящей от темп-ры.| Электролитическая ванна. [5]

Временное разрешение при этом достигает КГ13 - КГ1 1 сек ( электрониооптич. [6]

Временное разрешение 1 мс необходимо даже при изучении медленно горящих пламен и при использовании аппаратуры с плохим пространственным разрешением. Эта величина фактически характеризует типичный временной масштаб химических процессов в пламени. [7]

Временное разрешение ФЭУ ограничено временем пролета электронов вдоль трубки. [8]

Изображения поверхности кремниевого полупроводникового диода, полученные в стробоскопическом эмиссионном электронном микроскопе. а - напряжение на диоде отсутствует. б-на диод подано запирающее напряжение 40 В, темная область - падение напряжения на р-л-переходе. в-кратковременное ( менее 40 не прямое падение напряжения ( широкая темная область на базе диода при переключении его в состояние, при котором он отперт.| Изображение доменной структуры тонкой однородной по толщине пермаллоевой пленки. Снято в просвечивающем электронном микроскопе при дефокусировке изображения ( метод лоренцевой электронной микроскопии. Светлые и темные узкие полосы - границы доменов. Видна рябь намагниченности, возникающая вследствие малых изменений направлений векторов намагниченности ( отмечены стрелками внутри доменов. [9]

Предельное временное разрешение при этом может, в принципе, составлять ок. [10]

Схема ЛДИС ORVIS. 1 и 2 - ФЭУ и осциллограф, служащие для настройки интерферометра. 3 - электронно-оптический преобразователь. 4 - блок синхронизации. О - образец. С - - - - - светоделитель. Л - линза, Т - телескоп. 3Ь32 - зеркала. [11]

Временное разрешение ЛДИС VISAR составляет несколько наносекунд. [12]

Временное разрешение ФЭУ характеризуется вре: фронта импульса анодного тока при освещении фотокатод; вляет 10 - 8 - 10 - е - сек. [13]

Неколлинеарная схема генерации второй гармоники при отражении от поверхности нелинейного кристалла. иллюстрируются ограничения на длительность, связанные с углом схождения пучков. [14]

Временное разрешение коррелятора Tmin зависит от точности установления временной задержки ( для шага 1 мкм - 7 фс) и дисперсионным рас-плыванием в оптических элементах коррелятора. При необходимости оптический путь в кварце может быть уменьшен вплоть до минимальной толщины входного окна в вакуумную камеру. Толщина входного окна 3 5 мм соответствует длине дисперсионного расплывания УФ импульса ( К - 0 308 мкм) длительностью 8 фс. Измерения длительности в видимом и ИК диапазонах можно производить без вакуумирования нелинейного кристалла, что позволяет исключить прохождение импульсов через диспергирующие элементы. [15]

Страницы: 1 2 3 4