Cтраница 2
К излучению элемента Гюйгенса. [16] |
Что же касается разрыва в проводнике, то в пределах этого разрыва поверхностный электрический ток, а также поверхностный магнитный ток являются фиктивными, эквивалентно заменяющими действительные электрические токи, текущие во внутренней области разрыва проводника. [17]
Причинами этих отказов являются: разрыв проводников, на ступеньках окисла, коррозия металла, взаимодействие окисла с металлом при локальных увеличениях температуры, замыкание алюминия на кремний через поры окисла при низкотемпературной рекристаллизации, разрыв проводников и нарушение контакта с кремнием вследствие электродиффузяи. [18]
На рис. 11 - 8 представлена такая схема. В разрыв анодного проводника включен параллельный колебательный контур LjCj, настроенный на частоту Д, которая ниже, чем самая низкая частота рабочего диапазона усилителя. [19]
При этом может выделиться такое количество теплоты, которое при недостаточном сечении металла расплавит его пли даже испарит. В местах разрыва проводников пли плохого электрического контакта обычно появляется искра. При расчете минимальных сечений исходят из условия, что вся тепловая энергия, выделяемая током молнии, идет на нагрев металла токоотвода. Потерей теплоты в окружающую среду из-за кратковременности этого процесса пренебрегают. [20]
На рис. 3.9 представлен переносный трансформатор тока в виде клещей. Она используется в тех случаях, когда необходимо производить измерения без разрыва проводника с измеряемым током. Магни-топровод трансформатора тока разъемный ( на шарнирах), благодаря чему он может охватывать провод, образующий первичную обмотку. Для удобства измерения амперметр часто укрепляется на корпусе трансформатора. Точность таких трансформаторов невелика, но достаточна для ориентировочных измерений. [21]
В гибридных СВЧ-ИМС активные элементы включают как дискретные, заранее изготовленные одним из методов полупроводниковой технологии. В основном применяют планарпые приборы, которые можно монтировать с линией двояко: последовательно - в разрыв микрополоскового проводника, либо параллельно - между ними и металлизированной ( заземленной) нижней поверхностью подложки. [22]
Общий вид некоторых гибридных СВЧ-ИМС. [23] |
В гибридных СВЧ-ИМС активные элементы включают как дискретные, заранее изготовленные одним из методов полупроводниковой технологии. В основном применяют пленарные приборы, которые можно монтировать с линией двояко: последовательно - в разрыв микрополоскового проводника либо параллельно - между ними и металлизированной ( заземленной) нижней поверхностью подложки. [24]
Поскольку межсоединения имеют конечную толщину, то они образуют рельефную поверхность. Уступы рельефа создают теневой эффект при напылении металла и травлении диэлектриков в плазме. На уступах слой металла тоньше, сопротивление его больше, процесс электромиграции атомов идет интенсивнее, и поэтому возрастает вероятность разрыва проводников. Следует подчеркнуть, что для первого уровня разводки имеет значение лишь рельеф полупроводниковой структуры. Для второго уровня на рельеф полупроводника накладывается рельеф первого слоя металлизации. Толщина межуровневой изоляции определяет высоту уступов в переходных ( контактных) окнах. Если не принимать специальных мер, то для третьего уровня разводки нижележащие слои образуют уступы суммарной высоты в местах пересечения проводников, в результате чего вероятность дефектности разводки сильно возрастает. [25]
Качество и надежность печатных плат определяются технологией их изготовления, используемым оснащением, точностью и стабильностью технологических режимов. Наиболее ответственными операциями являются изготовление фотошаблонов, трафаретов и печать, сверление отверстий, травление, сборка и прессование МПП. В процессе выполнения этих операций часто встречаются следующие виды дефектов: плохая адгезия проводников к подложке, отслоение, отклеивание или вспучивание проводника по длине, разрывы или царапины на проводниках, внутренние короткие замыкания на слоях, расслоение МПП, плохое соединение между контактной площадкой и подложкой, трещины в медном покрытии ( на периферии и внутри отверстий), инородные включения в медном покрытии, отслаивание металлизации в отверстиях от стенок и внутренних контактных площадок, остатки эпоксидной смолы и стекловолокна на торцах контактных площадок в отверстиях после сверления, плохое совмещение слоев, неоднородность металлизации отверстий из-за плохой очистки, плохая паяемость плат. Наиболее серьезными дефектами являются короткие замыкания и разрывы проводников. Разрывы могут быть вызваны механическими напряжениями между слоями МПП, имевшимися на медных покрытиях до обработки, перегоранием перетравленных проводников в процессе испытания или при работе схемы. Вероятны разрывы при сборке узких проводящих дорожек, которые имели до сборки царапины и срезы. Разрывы могут наблюдаться и на дорожках, которые сдвигаются в процессе изготовления из-за неравномерности нагрева меди и материала платы. Другим видом разрывов является пропуск сквозного соединения как следствие неточного совмещения или погрешностей в получении отверстий. [26]
Имеется возможность не вводить варикап в селектор и непосредственно воздействовать на нестабильную емкость коллекторного перехода транзистора Т2, изменяя напряжение, приложенное к этому переходу. При этом удается не вторгаться в резонаторную камеру гетеродина - в четвертый отсек селектора с четвертьволновой линией L7 ( рис. 35) и не вносить туда сильную расстройку. Изменять напряжение на коллекторном переходе транзистора Т2 удается, вводя управляемое сопротивление в цепь его коллектора. Дополнительный транзистор ТЭ включается в разрыв проводника, соединяющего дроссель Др2 с корпусом селектора. Этот транзистор устанавливается в пятом отсеке селектора, где расположен дроссель Др2 и контур ПЧ. Вносимая из-за этого в контур ПЧ расстройка весьма мала и благодаря широкой его полосе не сказывается на работе всего радиотракта. [27]
Можно не вводить варикап в селектор и непосредственно воздействовать на нестабильную емкость коллекторного перехода транзистора VT2, изменяя напряжение, приложенное к этому переходу. При этом удается не вторгаться в резонаторную камеру гетеродина - в четвертый отсек селектора с четвертьволновой линией L7 ( рис. 48) - и переносить туда сильную расстройку. Изменять напряжение на коллекторном переходе транзистора VT2 удается, вводя управляемое сопротивление в цепь его коллектора. Дополнительный транзистор VT3 включается в разрыв проводника, соединяющего дроссель L2 с корпусом селектора. Транзистор устанавливается в пятом отсеке селектора, где расположены дроссель L2 и контур ПЧ. Вносимая из-за этого в контур ПЧ расстройка весьма мала и благодаря широкой его полосе не сказывается на работе всего радиотракта. [28]