Cтраница 1
Рамакришнан и Такор ( Ramakrishnan, Thakor) в [15] рассмотрели несколько другую форму экономии на масштабах, вызванную фактором асимметричной информации. В предложенной ими модели описывается ситуация существования экспертов по ценным бумагам, которые могут предоставлять информацию при соблюдении принципа риск-нейтральности инвесторов. [1]
Рамакришнан с сотрудниками [1], обжигая при 1450 тонкоизмельченные ( до 20 микрон) смеси Zr02, НЮ2 и кварца, показали, что ZrSi04 и HfSi04 образуют непрерывный ряд твердых растворов. [2]
Рамакришнан с сотрудниками [1 ] нашли, что при 1630 в цирконе ZrSiO4 растворяется 4 мол. [3]
Метод Блазиуса и Рамакришнана, изложенный в пп. [4]
Теорему Блазиуса, Клозеля и Рамакришнана, сформулированную в § 1 указанной статьи и утверждающую, что собственные значения операторов Гекке для форм Мааса типа Галуа являются алгебраическими числами, нельзя в настоящий момент считать доказанной. Бе доказательство, приведенное в статье, является ошибочным в одном тонком, но важном моменте. Рамакриш-нан в письме от 9 апреля 1991 г. В этой заметке мы кратко объясним, в чем состоит ошибка, а также уточним, какая часть цитированных работ ею не затрагивается. [5]
Одно из последних улучшений метода магических множеств было предложено Рамакришнаном [ Rama88b ] и заключается в полной имитации нисходящих вычислений восходящими с использованием полунепосредственных вычислений для переписанных правил. Это не учитывается непосредственно в методе магических множеств. [6]
Исследования слабой локализации были в значительной степени стимулированы работой Абрахамса, Андерсона, Личчарделло и Рамакришнана [6], где был дан общий анализ эффектов локализации для одно -, двух - и трехмерных систем. В рассмотренной авторами модели учитывалась обычная сильная ( экспоненциальная) локализация, не зависящая от размерности, для систем с сильной неупорядоченностью, но, кроме того, предполагалось, что двумерная система даже при слабой неупорядоченности будет испытывать слабое, логарифмическое уменьшение проводимости при увеличении размеров образца. Это означает, что в бесконечном двумерном образце не существует перехода диэлектрик - металл. [7]
Теорема 5 ( об алгебраичности представлений группы GSp Ao), которые являются пределами дискретных серий на бесконечности, анонсированная Блазиусом, Харрисом и Рамакришнаном) тоже не затрагивается, но она неприменима в случае форм Мааса. [8]
Такая семантика для представительного подмножества LDL была определена Бери, Накви, Рамакришнаном, Шмуэли и Тсуром. Ниже приведены в упрощенном виде основные положения их подхода. [9]
Пока слабо разработанная, теория случайных потоков в настоящее время обобщает несколько разделов теории вероятностей и теории случайных процессов: теорию потоков однородных событий, широко используемую в задачах массового обслуживания и теории надежности ( К. Рамакришнан, Р. Л. Стратонович и др.), теорию потоков восстановления ( В. [10]
Существуют и другие подходы к оптимизации, которые, хотя и не исследованы в достаточной степени, являются тем не менее многообещающими. В [ Sagi87 ] предложен алгоритм минимизации размера ( в терминах числа правил в программе и числа атомов в правиле) программы Дейталога при разрешимом условии общей эквивалентности. Другой тип оптимизации получен Рамакришнаном и др. [ Rama88 ], где объектом оптимизации является продвижение проекций ( а не операций выбора) в теле правила Дейталога. Это означает, что в литералах тела правила удаляются некоторые позиции аргументов, что иногда приводит к избыточности вычисления некоторых правил. [11]
Совсем недавно при исследовании проводимости инверсионных слоев при низких температурах был обнаружен новый эффект. Как было впервые показано в работах [188, 1855], образцы с кажущимся металлическим поведением, т.е. со слабым увеличением сопротивления с ростом температуры, обнаруживают небольшое увеличение сопротивления с понижением температуры в области очень низких температур. Такое слабое увеличение, логарифмическое по температуре было предсказано для двумерных систем в работе Абрахамса, Андерсона, Личчарделло и Рамакришнана [6] при рассмотрении локализации и в работе Альтшулера, Аронова и Ли [41] при рассмотрении электрон-электронного взаимодействия. Эти эффекты слабой локализации следует отличать от обсуждавшихся выше эффектов сильной локализации, которые приводят к активациоиному характеру температурной зависимости проводимости. [12]
Сегодняшние представления о проблеме, в особенности с точки зрения теории, еще весьма скудны, и чтобы достичь понимания, требуется еще очень много работы. Этот экспериментальный результат и последовавший теоретический анализ [96] показали, что в пределе сильного поля все состояния на уровне Ландау не могут быть локализованы. Таким образом, теория Абра-хамса, Андерсона, Личчарделло и Рамакришнана [6] ( см. § 2 гл. [13]