Cтраница 1
Схемы размещения камерных зарядов на полках. [1] |
Расположение зарядов, как правило, однорядное. [2]
При расположении зарядов, показанном на рис. 12 - 13, лампа открыта при заряде и разряде конденсатора. При изменении знака заряда на обкладках конденсатора в обоих случаях лампа заперта. [3]
Прл расположении зарядов, показанном на рис. 12 - 13, лампа открыта при заряде и разряде конденсатора. При изменении знака заряда на обкладках конденсатора в обоих случаях лампа заперта. [4]
Если известно расположение зарядов, то поле Е этих зарядов может быть определено путем суммирования кулоновых полей типа (2.1), возбуждаемых каждым из элементов этих зарядов в отдельности. Такого рода непосредственное суммирование, вообще говоря, требует в каждом отдельном случае довольно сложных вычислений. Во многих случаях задача эта может быть, однако, чрезвычайно облегчена применением некоторых теорем, трактующих об общих свойствах электрического поля, к рассмотрению которых мы теперь и перейдем. [5]
Если известно расположение зарядов, то поле Е этих зарядов может быть определено путем суммирования кулоновых полей типа (2.1), возбуждаемых каждым из элементов этих зарядов в отдельности. [6]
При отклонениях расположения заряда от своего оптимального значения, как в сторону уменьшения, так и в сторону увеличения, глубина пробиваемого канала падает. [7]
Проблема эквивалентности расположений зарядов, конечно, разрешима при использовании симметрии молекулы. Те атомы с одним и тем же атомным номером, которые занимают положения в молекуле, переходящие друг в друга при операциях симметрии точечной группы симметрии молекулы, являются эквивалентными. [8]
С этим расположением зарядов следует сравнить ион гидроксила ( б) и ион Н 3ОЧ - ( в), найденные в кристаллических гидратах кислых солей ( см. стр. При изучении окружения молекул воды в кристаллических гидратах находим, что но многих случаях расположение ближайших соседей соответствует этому тетраэдрическому характеру молекулы воды. [9]
Дипольный момент характеризует расположение зарядов в молекуле; дипольный момент тем больше, чем менее симметрично расположение зарядов. Поскольку носителями зарядов в молекуле могут быть отдельные полярные группы, например группы NOz, ОН, или отдельные атомы и ионы, например Cl, Br, J, величина дипольного момента связана с положением этих групп, атомов или ионов в молекуле. [10]
Такому перемещению способствует и расположение зарядов двойного слоя: избыток положительных ионов в шлаке выталкивает из него катионы, которые притягиваются отрицательными зарядами, в избытке находящимися в металле. [11]
Элементы воронки взрыва. [ IMAGE ] Воронка простого нормального выброса.| Воронка рыхления. [12] |
В зависимости от способа расположения заряда к взрываемому объекту в условиях строительства трубопроводов взрывные работы выполняются в основном следующими методами: 1) мелкими шпурами; 2) котловыми зарядами; 3) камерными зарядами ( минные штольни, минные шурфы); 4) открытыми ( накладными) зарядами. [13]
Проводник, образованный O Ck и Ofk - отстояние точки распо. [14] |
Из способа выбора величины и расположения зарядов д10, 7и и 7i2 ясно, что в создаваемом ими электростатическом поле потенциал каждой из рассматриваемых сфер постоянен и равен А. [15]