Расположение - зона
Cтраница 1
Расположение зон в осадочной хроматограмме в простейшем случае определяется произведением активностей ионов труднорастворимых осадков. [1]
Расположение зон в хроматограмме обусловлено различием в потенциалах. [2]
 |
Энергетические зоны диэлектрика ( а, полупроводника ( б и металла ( в. [3] |
Расположение зон ( ближе или дальше друг от друга) и их заполненность электронами обусловливают свойства кристалла как диэлектрика ( изолятора), полупроводника и проводника. При условии перекрывания валентной зоны и зоны проводимости вещество ведет себя как проводник. Если зоны не перекрываются, достаточно далеко удалены друг от друга и валентная зона полностью заполнена электронами, вещество проявляет свойства диэлектрика. Энергетический разрыв между зоной проводимости и валентной зоной называется запрещенной зоной. У диэлектриков ширина запрещенной зоны выше 3 эВ, у полупроводников от 3 до 0 1 эВ и у проводников ( металлов) запрещенная зона отсутствует, А. [4]
Расположение зоны первично выпавшего осадка зависит от соотношения подвижностей реагирующих ионов. Дальнейшие вторичные явления в хроматограмме связаны с многими факторами. [5]
Расположение зон радиации изображено на рис. 7.3; масштабы интен - Сйвностей соблюдены весьма приблизительно и рисунок схематичен. [6]
 |
И Зоны выхлопа газов при работе трубчатых разрядников. [7] |
Расположение зон выхлопа проверяют на опоре после установки разрядника. Зоны выхлопа не должны пересекаться и в них не должны находиться элементы конструкции и провода, имеющие другой потенциал, чем у открытого конца разрядника. При креплении разрядников за открытый конец допускается пересечение зон выхлопа, так как они в этом случае имеют потенциал зоны. [8]
Расположение зоны зацепления должно предусматривать уменьшение значения клинового эффекта в передаче движения - см. выше. [9]
Расположение зоны реакции в одноканальном и многоканальном реакторах может быть различным и зависит от конструкции реактора. После зоны реакции должна непосредственно следовать зона закалки, в которой происходит торможение реакции разложения ацетилена на углерод и водород. Закалка осуществляется с помощью разбрызгивающих устройств, которые должны обеспечить создание сплошной водяной завесы, охлаждающей поток газа. [10]
Расположение зоны реакции в одноканальном и многоканальном реакторах может быть различным и зависит от конструкции реактора. После зоны реакции должна непосредственно-следовать зона закалки, в которой происходит торможение реакции разложения ацетилена на углерод и водород. Закалка осуществляется с помощью разбрызгивающих устройств, которые должны обеспечить создание сплошной водяной завесы, охлаждающей поток газа. [11]
Расположение зон инфильтрации и эксфильтрации на фасадах жилого здания, оборудованного вытяжной системой вентиляции с естественным побуждением движения воздуха, показано на рис. XVII. Характерной особенностью рассматриваемого случая является перетекание воздуха из лестничной клетки в помещения через дверь квартир в верхней части зоны инфильтрации. Это перетекание вызвано действием вытяжки. Последняя также значительно усиливает инфильтрацию. [12]
Расположение зон катионов должно быть следующим: вдоль линии подъема первого растворителя располагаются зоны катионов ( снизу вверх): никеля, кобальта, меди, железа. [13]
Расположение зон концентрирования этих веществ зависит ог температурного режима колонны. Отбираемый на этой колонне метанол содержит значительное количество примесей, поэтому его целесообразнее было бы не возвращать в колонну основной ректификации, а использовать в виде низкосортного продукта. [14]
Расположение зон меченых соединений в хроматограмме определяется также способом радиоавтографии. Этот способ основан на фотографическом действии радиации, испускаемой радиоактивным изотопом. Радиоавтография имеет большое значение при анализе бумажных хроматограмм, так как она исключает в этом случае необходимость проявлять хроматограмму опрыскиванием бумаги проявителем. [15]
Страницы: 1 2 3 4