Расположение - атом
Cтраница 2
 |
Аморфизация поверхностного слоя кремния в результате ионной имплантации. [16] |
Расположение атомов и ионов на поверхности даже чистых монокристаллических веществ отличается от идеального кристаллографического порядка. Ввиду термодинамической необходимости понижения поверхностной энергии происходит изменение структуры поверхности. Порядок атомов, свойственный объему кристалла, не сохраняется и непосредственно под поверхностью. Эти аномалии заметно проявляются в высокодисперсных веществах ( порошках), когда относительное и абсо лютное число поверхностных атомов резко возрастает. [17]
Расположение атомов в кристаллической решетке твердого раствора выявляется рентгеновским исследованием. В общей кристаллической решетке твердого раствора могут быть два типа расположения атомов: замещения и внедрения. В случае твердого раствора замещения атомы растворенного элемента замещают атомы элемента-растворителя в обшей кристаллической решетке. Напомним, что растворителем считается тот элемент, кристаллическая решетка которого сохранилась в твердом растворе. Схема расположения атомов в твердом растворе замещения приводится на фиг. [18]
Расположение атомов и молекул в твердом теле зависит от их размеров и типа связи между ними. Металлические и ионные связи лишены пространственной направленности. Атомы металлов и ионы имеют сферическую форму и группируются таким образом, чтобы окружить себя максимально геометрически допустимым числом соседей. [19]
Расположение атомов в смежных слоях графитовых шестигранников не симметрично. Атомы углерода в каждом слое располагаются точно под центром правильных шестиугольников в соседнем верхнем слое. [20]
Расположение атомов или групп атомов друг против друга невыгодно с энергетической точки зрения, так как они испытывают взаимное отталкивание. [21]
Расположение атомов будет иметь иную конфигурацию, если в молекуле имеются электронные пары, не образующие связь, - неподеленные пары. [22]
Расположение атомов в молекуле, содержащей тг-связь в состоянии, отвечающем минимуму U ( р), уже не может быть охарактеризовано как транс-конфигурация. Из соображений, излагаемых далее, следует, что в равновесном состоянии молекулы пропилена Н2С СН-СН3 атомы H2C CH-СН должны располагаться в одной плоскости, задаваемой двойной связью ( стр. [23]
Расположение атомов в значительной степени обусловливает полупроводниковые свойства. Так, алмаз и серое олово - полупроводники, а графит и белое олово - металлы. [24]
Расположение атомов в кристалле весьма удобно изображать в виде пространственных схем, в виде так называемых элементарных кристаллических ячеек. Под элементарной кристаллической ячейкой подразумевается наименьший комплекс атомов, который при многократном повторении в пространстве позволяет воспроизвести пространственную кристаллическую решетку. [25]
 |
Соответствие решеток при превращении ОО3 - 18 /. в сплавах Си - А / - Ni и кристаллографические соотношения между исходной и мартен-ситной фазами. [26] |
Расположение атомов в плоскостях слоев А. [27]
Расположение атомов в таких солеобразных гидридах напоминает расположение атомов в хлориде натрия. Их устойчивость уменьшается в том порядке, в котором выше перечислены элементы, причем гидрид лития гораздо более устойчив, чем остальные гидриды. Этот факт свидетельствует также о близком сходстве свойств лития и щелочноземельных металлов. [28]
 |
Термогравиграмма различных образцов ВЮОСН3 ( а, б, в и ( ВЮ 2СО3 ( г. Кривые разложения сняты в атмосфере кислорода при скорости нагревания 5 С / мин. [29] |
Расположение атомов в висмут метоксиде основном приведено на рис. 4.49, а рентгенографические и кристаллографические характеристики - в табл. 4.30 и 4.31. Слева в верхней части рисунка приведен общий обзор фрагмента структуры этого соединения. Внизу представлена в [001] проекция положений атомов висмута и кислорода, а справа схема последовательности чередования атомных слоев в структуре ВЮОСН3 вдоль кристаллографической оси с. Висмут метоксид основной кристаллизуется в тетрагональной сингонии, пр. [30]
Страницы: 1 2 3 4