Cтраница 4
Первичная ( 5 и вторичные кривые усталости при случайном ( /, 2, 3, 4 программном ( 6 нагружениях. [46] |
Такой характер расположения линий / - 4 связан с тем, что при одинаковом распределении экстремумов процесса узкополосный процесс F1 является более повреждающим, чем широкополосный F4, что пояснялось в разд. [47]
В районе расположения линий электропередачи опасность поражения током возникает при обрыве провода. В этом случае ток проникает в землю, образуя на ее поверхности зону распространения электрических потенциалов, значение которых снижается от максимального непосредственно у места обрыва до нуля на расстоянии примерно 10 м от провода. В зоне растекания тока человек может оказаться под напряжением, даже не касаясь оборванного провода, так как ноги шагающего человека касаются точек почвы, имеющих разные потенциалы электрического поля. [48]
Если правило расположения линии изгиба поперек волокон приводит к плохому использованию материала, то следует увеличить радиус изгиба; тогда это правило необязательно. [49]
Определяем высоту расположения линии нулевых избыточных давлений. [50]
Взаимосвязь между., сжимаемостью с ( отношение объема соединения к сумме объемов атомов. [51] |
Сходство в расположении линий для галогенидов и гидридов непосредственно свидетельствует о близости свойств этих соединений, что отмечалось в ряде исследований. A так как неорганические вещества отличаются разнообразием кристаллических структур, то несмотря на наличие большого экспериментального материала построить ряд прямых для других групп веществ, аналогичный представленному на рис. 150 и 151, в настоящее время затруднительно. [52]
Расхождения в расположении линий солидуса в схеме 3 и приведенном для безводной системы в [2] находятся в пределах колебаний температур плавления, определенных различными авторами. [53]
Как указывалось, расположение линий на рентгенограммах, определяет межпло-скоотное расстояние кристалла, а интенсивность линий зависит от расположения атомов, в ячейке. Таким образом, рентгенограммы кристаллических веществ представляют собой отображение кристаллической структуры и их можно рассматривать как рентгеновский паспорт, однозначно определяющий кристаллическое вещество. Структурный или кристаллохимический анализ впервые разработан Е.С.Федоровым и его учениками, составившими рентгенометрический определитель минералов. Позко этот метод был распространен на многие химические вещества. [54]
Как указывалось, расположение линий на рентгенограммах определяет межпло-скоотное расстояние кристалла, а интенсивность линий зависит от расположения атомов в ячейке. Таким образом, рентгенограммы кристаллических веществ представляют собой отображение кристаллической структуры и их можно рассматривать как рентгеновский паспорт, однозначно определяющий кристаллическое вещество. [55]
Кроме того, расположение линий ( в том числе и линий заземления) на печатных платах блока выбрано с учетом максимального ослабления нежелательного влияния сигнальных цепей друг на друга. [56]