Расположение - ось - координата
Cтраница 2
 |
Распределение напряженностей поля по направлению. [16] |
На рис. 3 - 6, а показаны графики распределения величин напряженностей электрического поля Ez и напряженностей магнитного поля Нх для выбранного ранее расположения осей координат в зафиксированный момент времени. [17]
Рассматривается одномерная задача: все температуры и концентрации считаются постоянными по поперечному сечению соответственно катализаторного и трубного пространства. Расположение осей координат указано на фиг. [18]
Расположение осей координат возьмем такое, как показано на рис. 47, и будем рассматривать сначала только поток, обусловленный термодиффузией и обыкновенной диффузией. [19]
 |
Распределение концентраций загрязнений в потоке. [20] |
Предположим, что поток свободно проходит через плоскость F. Выбираем такое расположение осей координат, при котором ось х параллельна вектору усредненной скорости и направлена навстречу потоку. [21]
Определить движение оси гироскопа, если ш - угловая скорость его вращения вокруг оси симметрии, / - момент инерции гироскопа относительно оси симметрии, а - расстояние от центра тяжести С до точки опоры О. Оси хуг изображены в соответствии с расположением осей координат на рисунке предыдущей задачи. [22]
Выбранный для расчета фрагмент кристаллической решетки Ni ( OH) a, расположение осей координат центрального атома и нумерация лигандов приведены на рисунке. [23]
Рассмотрим процесс распространения примесей в турбулентном потоке воздуха. Предположим, что поток свободно проходит через плоскость F. Выбираем расположение осей координат такое, при котором ось х параллельна вектору усредненной скорости и направлена навстречу потоку. [24]
 |
Кварц. а - правый, б - левый. [25] |
При выборе кристаллографических осей необходимо придерживаться правил ( см. табл. 1.1), принятых в кристаллографии и обязательных для всех исследователей. Выполнение этих правил сводит к минимуму возможный в этом случае произвол. Следует всегда помнить, что от расположения осей координат зависят кристаллографические индексы, определяющие положение узловых плоскостей и направлений в кристалле. [26]
 |
Связь между разрушением характерного объема гс ( а и разрушением от макротрещины ( б. [27] |
Кроме того, конечное приращение трещины около кончика трещины можно интерпретировать как разрыв внутри конечного объема в окрестности кончика трещины, и размер этого конечного объема будет равен размеру характерного объема разрушения гс. Отсюда тотчас следует вывод, что необходимое и достаточное условие распространения трещины будет выполнено, если в радиусе гс от кончика трещины вектор упругих напряжений ff равен или превышает вектор прочности, где оТ и 3F определены в разд. Взаимосвязь разрушения характерного объема гс с изломом трещины схематично показана на рис. 11, я и б, где расположение осей координат для объема гс и для трещины одинаково относительно осей материала. [28]
Из полученных выражений видно, что при нагружении изделия будет наблюдаться изменение фазы прошедших через слой волн или отраженных от него. Положение главных осей анизотропии может быть определено точно так же, как и для первоначально изотропных материалов. Главные значения диэлектрической проницаемости определяют измерением с помощью интерферометри-ческих устройств фазы коэффициентов отражения и прохождения. При измерении коэффициента отражения и фазы коэффициента отражения принимают, что расположение осей координат х и у соответствует главным направлениям диэлектрической проницаемости и вектор напряженности электрического поля Е ориентирован вдоль одного из главных направлений. Во всех расчетах предполагается, что электромагнитные волны проходят среду 1 ( воздух), откуда падает волна, и среду 2 ( слой рассматриваемой среды) без потерь, но среду 3, находящуюся за исследуемым слоем, - с потерями. [29]
Страницы: 1 2