Расположение - преобразователь
Cтраница 3
Классификация преобразователен по месту расположения представлена на рис. 4.5. Принципиально возможен любой из представленных на схеме вариантов расположения преобразователя: на свободной поверхности, вне образца и внутри его. [31]
Из формулы ( ИЗ) следует, что абсолютная погрешность определения расстояния до места утечки в значительной степени зависит от расположения преобразователей. Наибольшая точность может быть получена при расположении преобразователей на равном расстоянии от места утечки. [32]
Регистрирующее устройство имеет вольфрамовые иглы, число которых равно числу преобразователей, а их размещение в масштабе 1: 10 повторяет расположение преобразователей. На электротермической бумаге прорисовывается штриховой план-чертеж в масштабе 1: 10 с изображением листа и всех зарегистрированных в нем дефектов. Дефекты листа изображаются черной штриховкой. Площадь зарегистрированных дефектов оценивают непосредственно по дефектограмме с учетом масштаба изображения. В установке предусмотрено устройство для цифровой обработки с выходом на ЭВМ. [33]
В качестве источников ультра Жуковых колебаний рекомендуется применять магнитострикиионные преобразователи ПМС-38, ПМС-6М и ПМС-15А18. Расположение преобразователей в ванне хромирования зависит от размеров н количества загружаемых дета ей. При хромировании крупногабаритных единичных деталей преобразователи удобно располагать на боковых сте i-как ванны. [35]
 |
Зависимость микротвердости хрома от плотности тока при t 60 Си интенсивности ультразвука ( Вт / см2. / - без ультразвука. 2 - 1. 3 - 2. 4 - 3. [36] |
В качестве источников ультра 1вуко - вых колебаний рекомендуется применять магнитоетрикционные преобразователи ПМС-38, ПМС-6М и ПМС-15А18. Расположение преобразователей в ванне хромирования зависит от размеров и количества загружаемых деталей. При хромировании крупногабаритных единичных деталей преобразователи удобно располагать на боковых стенках ванны. Для хромирования мелких и средних деталей предпочтительно расположение преобразователей на дне ванны. [37]
Расположение преобразователей и степень теплоизоляции его рабочего нагреваемого участка определяются способом нагрева при термообработке. Такое расположение преобразователя снижает вредное влияние электромагнитного поля индуктора на показания электронных потенциометров. [38]
В отсутствие дефектов фазовая скорость cpi определяется толщиной hi изделия. При расположении преобразователя над расслоением скорость сР2 волны соответствует толщине йг разделенного дефектом слоя, причем, как следует из рис. 2.96, ср2 ср. С уменьшением скорости меняется фаза бегущей волны в точке приема, что служит основным признаком дефекта. [39]
 |
Образец записи дефектов в сотовой панели. [40] |
При отсутствии дефектов скорость с определяется толщиной h ] изделия. При расположении преобразователя над расслоением скорость С2 волны соответствует толщине И2 разделенного дефектом слоя, причем GIC. С уменьшением скорости меняется фаза бегущей волны в точке приема, что служит основным признаком дефекта. Дополнительным признаком дефекта является обычно наблюдаемое увеличение амплитуды принятого сигнала. [41]
 |
Галогенный теченскатель ГТИ-6. [42] |
Вакуумный преобразователь ГТИ-6, смонтированный на фланце, предпочтительно размещать в высоковакуумной части системы, обдуваемой снаружи пробным газом. При таком расположении преобразователя увеличивается чувствительность, поскольку повышается стабильность температуры эмиттера ( колебания форвакуумного давления обусловливают нестабильность этой температуры) и, соответственно, фонового тока. Исключаются эффекты сорбции фреона в переходных коммуникациях и снижается степень загрязнения преобразователя. [43]
Вакуумный преобразователь, смонтированный на фланце, предпочтительно размещать в высоковакуумной части системы, обдуваемой снаружи пробным газом. При таком расположении преобразователя увеличивается чувствительность, поскольку повышается стабильность температуры эмиттера ( колебания форвакуумного давления обуславливают нестабильность этой температуры) и, соответственно, фонового тока. Исключаются эффекты сорбции фреона в переходных коммуникациях и снижается степень загрязнения преобразователя. [44]
Влияние боковой поверхности сказывается на возникновении ошибок при измерении амплитуды эхосигнала и определении координат дефекта. Если в месте расположения преобразователя непосредственно над дефектом образуется интерференционный минимум, то в поисках максимума дефектоскопист сместит преобразователь в сторону и ошибочно укажет расстояние т от дефекта до свободной поверхности. По этой причине зону вблизи боковой поверхности называют зоной неуверенного контроля. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5