Расположение - слой
Cтраница 3
Зависимость теплоусвоения внутренней поверхности ограждения от периода колебания теплового потока учитывается тем. D слоев ( для выяснения расположения слоя резких колебаний), так и теплоусвоения отдельных слоев берутся значения коэффициентов теплоусвоения материалов s, соответствующие тому или другому периоду Z. Порядок расчета не изменяется. [31]
Они очень удобны при сейсмическом зондировании Луны и других планет. С помощью поверхностных волн детально изучено расположение слоя пониженных скоростей в верхней мантии, строение земной коры континентов и океанов и другие детали регионального строения наружных слоев Земли. [32]
 |
Многоколонный вертикальный аппарат с цепным транспортным органом.| Изменение коэффициента массо-отдачи по длине вертикального многоколонного аппарата с цепным транспортным органом. [33] |
Однако такие аппараты сложны в эксплуатации, занимают большой объем и площади помещений по сравнению с одноколонными. Кроме того, после перехода из одной колонны в другую равномерность расположения слоя части на сетке меняется, что несколько нарушает гидродинамический режим взаимодействия жидкой и твердой фаз. [34]
В шестидесятых годах нашего века советский ученый профессор С. М. Григорьев сопоставил данные, получаемые геофизическими способами, о глубине расположения слоя Мохо при переходе через который резко изменяется скорость распространения сейсмических волн, и теоретические данные о нахождении сферы критической температуры - той области, где температура достигает величины, при которой вода уже не может находиться в жидком виде, каким бы большим не было давление. Именно так, как идет в глубинах нашей планеты слой Мохо, углубляясь под материками и поднимаясь под ложами океанов, по расчетам должна лежать и сфера критических температур. И ученый высказал предположение, что слой Мохо и сфера критических температур - это одно и то же. [35]
 |
Кристаллическая структура графита. [36] |
Фрагмент кристаллической структуры графита показан па рис. 21.3. Расстояние, разделяющее слои ( 3 35 А), велико по сравнению с длиной связи С-С внутри слоя, равной 1 42 А, что указывает на относительно слабую связь между атомами, принадлежащими различным слоям; поэтому слои могут смещаться друг относительно друга, что обусловливает ценные смазочные свойства графита. На рис. 21.4 жирные и тонкие линии обозначают чередующиеся слои в обычной структуре графита; видно, что возможен третий способ расположения слоя ( штриховые линии), симметрически связанный с двумя первыми. [37]
В случае полидисперсности растворенного вещества скорость седиментации будет различна для каждого полимер-гомолога. Следовательно, в каждом слое раствора будет находиться в седиментационном равновесии определенный полимер-гомолог, концентрация которого определяется по степени почернения пластинки, а молекулярный вес - по расположению слоя по высоте ячейки. [38]
Основными достоинствами цепных колонных экстракторов является то, что твердые частицы не подвергаются разрушению, в них легко осуществлять заданный температурный режим по аппарату, так как малое сечение аппарата позволяет хорошо его нагреть через стенки корпуса. Однако наряду с достоинствами колонные цепные аппараты обладают и недостатками: 1) неравномерность гидродинамического режима, связанная с тем, что при переходе из одной колонны в другую равномерность расположения слоя твердых частиц на сетке меняется; 2) сложность эксплуатации; 3) большие занимаемый объем и площадь по сравнению с одноколонными. [39]
Сопротивления по лобовой поверхности имеют наименьшие значения при погружении моноопоры в илистых грунтах. К ним относятся также глинистые грунты, образовавшиеся как структурный осадок в воде при наличии микробиологических процессов. Расчетное сопротивление R по лобовой поверхности трубчатых элементов в глинистых грунтах зависит от консистенции и глубины расположения слоя грунта. [40]
В США при изготовлении биметаллических труб нержавеющая сталь медь ( изнутри) применяется следующая технология термодиффузионной сварки. Внутренний канал собранной двухслойной трубы герметизируют и заполняют воздухом или инертным газом под давлением. При нагреве в индукционной печи внутренний тонкостенный слой под давлением газа прижимается к наружному слою, обеспечивая протекание диффузионных процессов. При расположении медного тонкостенного слоя снаружи, а нержавеющего - внутри, собранную двухслойную трубу помещают в штамп и нагревают с помощью внутреннего индуктора. Штамп препятствует расширению наружного слоя при нагреве и возникающее между слоями давление способствует их сварке. [41]
Между фв сл и влажностью материала ( при известной температуре) имеется прямая зависимость, которая позволяет установить связь между рассмотренной методикой расчета влажностного состояния материальных слоев в ограждении и рекомендациями норм по выбору теплофизических характеристик. В нормах даны три градации значений этих характеристик, которые соответствуют различной степени увлажнения материалов. Выбор характеристики производят в зависимости от влажностного режима помещения и зоны строительства. В нормативном методе не учитывается расположение материального слоя в конструкции, поэтому его можно применять только для однослойных ограждений. [42]
Крупный гравий и щебень подают на дно сооружений тельфером с саморазгружающей бадьей или вручную. Ссыпать эти материалы с высоты ( даже по наклонным лоткам) не разрешается, так как это может повредить торкрет или бетон днища, колосниковые решетки и крепление труб распределительной системы. Наиболее крупные фракции нижнего слоя плотно укладывают на днище, заполняя пространство между ними менее крупными фракциями. После укладки каждого слоя до проектной отметки сооружение заполняют водой и проверяют горизонтальность расположения слоя. Затем слой промывают чистой водой в течение 5 - 10 мин, сооружение опорожняют и укладывают следующий слой. [43]
 |
Последовательность формирования ИМС методом VIP. [44] |
Структура узлов изоляции, формируемых данным методом, приведена на рис. 3.16. Основная трудность заключается в формировании узкой и глубокой щели с вертикальными стенками и соблюдением режимов ее заполнения путем плазмохимического или ионного травления. Недостатком конструкций, изготавливаемых по планарной технологии, является то, что слои металлизации располагаются по поверхности кристалла. При уменьшении размеров компонентов размеры слоев металлизации становятся основным фактором, ограничивающим плотность компоновки элементов при изготовлении БИС. Учитывая то, что большую площадь занимает слой металлизации цепи питания, очевидна необходимость формирования этой цепи в объеме полупроводника. Одним из возможных решений этой проблемы является расположение слоя металлизации, по крайней мере шины питания, в изолированной области и соединение его с компонентами через слой легированного полукристаллического кремния. На рис. 3.17 представлена схема такой конструкции ИМС, сформированная на полупроводниковой подложке /, имеющей изолированные 5 и изолирующие 6 области. [45]
Страницы: 1 2 3 4