Равновесное расположение

Cтраница 1

Равновесное расположение двух взаимодействующих атомов относительно друг друга при данной температуре достигается при расстоянии между ними, соответствующем максимуму стабильности и энергии связи и минимуму полной энергии. Последняя складывается из энергии взаимодействия при притяжении и отталкивании. [1]

Равновесное расположение атомов в кристалле задается ячейкой Браве и расположением в пей неэквивалентных атомов. [2]

Равновесное расположение атомов в молекулах, иными словами, равновесное расположение атомных ядер определяет общую геометрическую структуру ядерного скелета молекулы. Такой скелет характеризуется определенными свойствами симметрии и может рассматриваться как система фиксированных точек. Изомерные ( в том числе поворотно-изомерные) структуры имеют совершенно определенные различия в геометрической конфигурации. Структура скелета определяется прямыми методами рентгене -, электроне - и нейтронографии, а также методами инфракрасной и радиоспектроскопии и косвенно - на основании изучения других физических явлений. Здесь имеется ряд проблем, далеких от своего полного решения, таких, например, как определение абсолютной конфигурации оптических антиподов. [3]

Равновесное расположение ионов, установленное путем рентгеновского анализа, соответствует основному электронному состоянию. Будем вначале считать экситон стационарным. [4]

Конечное состояние отвечает равновесному расположению частиц системы при Г0 К. [5]

Кристаллическая решетка, характеризующая равновесное расположение атомов в идеальном бесконечно протяженном кристалле, обладает определенной симметрией. [6]

Схема для анализа формы монокристалла. [7]

При выращивании монокристалла устанавливается равновесное расположение фронта кристаллизации. [8]

Дело в том, что при равновесном расположении граничных слоев между включениями, как это показано, согласно модели Керстена, на фиг. Из общих соображений о минимуме свободной энергии можно допустить, что в размагниченном состоянии, когда отсутствует внешнее магнитное поле ( Н 0), самопроизвольная намагниченность вблизи включений распределяется так, чтобы свести к минимуму их размагничивающий эффект из-за нарушения условия Div Is 0 на их поверхности. Нарушение этого условия, как показал Е. М. Лиф-шиц [4], может иметь место даже у плоской поверхности идеального монокристалла. Это объясняется тем, что нельзя подобрать такое распределение векторов ] а, которое одновременно удовлетворяло бы условию Div Ig div ls 0 и минимуму всех остальных энергий в ферромагнитном кристалле и, в первую очередь, минимуму магнитно-упругой энергии анизотропии. [9]

Возникновение упругой силы при деформации тел является следствием нарушения извне равновесного расположения элементов структуры ( в данном случае - под действием сжатия) системы. Процесс восстановления равновесного расположения, осуществляющийся благодаря тепловому движению структурных элементов в деформированном теле, оставляет сущность релаксации. [11]

Таким образом удается в хорошем согласии с опытом теоретически получить все оптимальные равновесные расположения молекул, которые возникают при их контакте. [12]

Следовательно, необходимым условием качественной намотки на тело любой формы является условие устойчивого, равновесного расположения витков. [13]

Вообще говоря, можно считать, что переход происходит из наиболее вероятной конформа-ции основного состояния молекулы, которой соответствует неподвижное равновесное расположение ядер. В процессе электронного перехода ядра не меняют своего расположения. После завершения перехода ядра еще неподвижны, но находятся в новом силовом поле, соответствующем новому электронному распределению. [14]

Если дислокации, испущенные источником Франка - Рида, останавливаются у барьера, то под действием внешнего напряжения т возникает специфическое равновесное расположение скользящих в одной плоскости дислокаций, называемое скоплением дислокаций. [15]

Страницы: 1 2 3