Конкретное расположение

Cтраница 4

Схематическая диаграмма, изображающая изменение разрушающего напряжения а в зависимости от длины с наибольшей трещины, существующей в теле. [46]

В настоящем изложении следует, однако, отметить, что не все формы дефектов с необходимостью вызывают уменьшение прочности композита. Если критическая длина трещины соответствует нескольким расстояниям между волокнами, группа в несколько разорванных волокон будет неспособна вызвать разрушение при значительно сниженном уровне напряжений. Как будет видно ниже, можно рассчитать теоретические коэффициенты концентрации напряжений, связанные с конкретным расположением разорванных волокон, и можно предположить, что данная концентрация напряжений будет в известной степени снижать прочность композита. Но это произойдет лишь в случае, если не существует возможности локального течения, расслаивания или для других форм релаксации напряжений вблизи дефекта. [47]

Влияние псевдопотенциала на электронные состояния состоит в том, что: их полная энергия меняется на величину, называемую зонной энергией. Зонная энергия играет важную роль в понимании свойств связи в кристаллах, и может быть непосредственно найдена для любого конкретного расположения ионов металла. [48]

В более сложных по строению и составу кристаллах расположение атомов не вытекает из симметрии с такой же определенностью, как в приведенных примерах. Однако в любом случае закон, которому подчиняется размещение атомов, резко сужает рамки различных вариантов строения, возникающих в процессе поисков структуры, что существенно помогает их нахождению по другим, еще не рассмотренным косвенным признакам. Во многих случаях эти рамки оказываются настолько узкими, что уже из общего закона расположения, даваемого группой симметрии, находятся ответы на интересующие исследователя чисто химические вопросы, хотя конкретное расположение атомов остается еще далеко не ясным. [49]

Интерпретация данных по испарению опять-таки неоднозначна. Хотя и ясно, что имеется два состояния связи ксенона с поверхностью вольфрама, все же невозможно охарактеризовать природу этих связей. Разумно предположить, что разница в энергиях связи вытекает из различий в строении поверхности: р-состояние наблюдается при очень низких заполнениях, когда взаимодействием с соседними атомами можно пренебречь. Однако конкретное расположение атомов, упрочняющее связь, остается неизвестным. Снижение энергии активации десорбции также не может быть интерпретировано однозначно. Оно может быть обусловлено либо только взаимоотталкиванием адсорбированных атомов, либо еще и врожденной разницей в характере связи на различных участках поверхности. Очевидно, что это классические трудности в интерпретации макроскопических тепловых измерений. И все же такие наблюдения представляют интерес. Они устанавливают нижнюю границу эффективности, с которой кинетическая энергия передается при столкновении. Кроме того, десорбция непосредственно доказывает неоднородность поверхности вольфрама, участвующей в процессе. [50]

Довольно значительная их часть не допускает перезаписи, поскольку содержит весьма важные компоненты - ядро операционной системы или резидентные механизмы различных подсистем. Поэтому разработчики системы должны предусмотреть выделение некоторой области памяти из обшей структуры памяти со страничной организацией пли по крайней мере предоставить параметр для настройки системы при ее установке. В некоторых системах фирмы IBM существует параметр генерации VIRTUAL REAL, позволяющий не только защитить физические страницы от изменений, вызываемых подкачкой, но и поставить в соответствие каждой логической странице строго определенный адрес размещения. Конечно, нетрудно представить себе случай, когда программу следует защитить от изменений, но конкретное расположение ее в памяти особой роли не играет. Использование параметра VIRTUAL REAL фактически означает, что виртуальные адреса, которыми манипулирует программа, должны совпадать с адресами соответствующих операндов в реальной памяти. Очевидно, следует с большой осторожностью подходить к решению вопроса о жестком закреплении за программами физических страниц, поскольку при этом уменьшается размер области памяти, управляемой динамически. [51]

Ионная связь редко приводит к образованию простых молекулярных частиц, так как электростатические силы взаимодействия между анионом и катионом не могут быть взаимно насыщены. В качестве примера укажем, что в обычном твердом хлориде натрия не обнаруживается никаких доказательств существования ионной пары Na - Cl - ( подробнее об этом см. в разд. Напротив, установлено, что в этом веществе каждый ион натрия окружен шестью хлорид-ионами, а вокруг каждого хлорид-иона в свою очередь располагается шесть ионов натрия, причем силы, действующие между каким-либо ионом и каждым из его шести соседей, совершенно одинаковы. Таким образом, очевидно, что для объяснения свойств твердых ионных веществ необходимо учитывать не только наличие внутри них ионных зарядов, но и конкретное расположение частиц относительно друг друга. [52]

Эти методы основаны на прямом выделении, или улавливании, разрывов, возникающих в численном решении. Такое выделение обеспечивается построением дискретной сетки, связанной с этими разрывами. Методы с выделением разрывов могут быть разделены на несколько групп. Они применяются тогда, когда заранее полностью известна структура решения, а также число, тип и примерный порядок расположения каждого из разрывов, имеющихся в решении. Что касается конкретного расположения и скоростей этих разрывов, то они определяются далее в процессе вычислений. В начале работы такого алгоритма строятся некоторые начальные данные, учитывающие порядок разрывов в решении, и организуется такая аппроксимация производных, что конечные разности, пересекающие разрыв, не используются. Это подразумевает, что численная дискретная сетка должна быть согласована с поверхностями разрывов. Например, точки сетки должны лежать на этих поверхностях, причем с обеих сторон. Другой подход состоит в том, чтобы, наоборот, границы ряда дискретных ячеек совпадали с поверхностями разрывов. При этом заметим, что начальные условия могут и не удовлетворять соотношениям на разрывах. [53]

Страницы: 1 2 3 4