Закономерное расположение

Cтраница 3

Природные минералы находятся в основном в твердом состоянии и имеют преимущественно кристаллическое строение с закономерным расположением частиц ( ионов, атомов, молекул) в пространстве. Реже они встречаются в виде аморфных веществ с беспорядочным пространственным расположением частиц. [31]

Упорядочение может быть обусловлено либо уменьшением энергии электростатического взаимодействия, связанным с различием и закономерным расположением ионов разного заряда, либо с понижением упругой энергии за счет закономерного упорядочения различных по величине ионов, или же за счет компенсации упругих напряжений, вызванных эффектом ЯТ. Однако выигрыш в энергии, связанный с упорядочением ионов, при высоких температурах компенсируется возрастанием энтропийного члена, так что при превышении определенной критической температуры упорядоченное состояние переходит в неупорядоченное. Однако иногда при этом исчезает лишь дальний порядок, в то время как ближний порядок сохраняется вплоть до высоких температур. С другой стороны, для возникновения упорядоченного состояния зачастую необходима диффузия ионов в кристалле. Исключение представляет собой магнетит, у которого упорядочение может осуществляться путем электронных переходов и обмена валентностями между двух - и трехвалентными ионами железа. [32]

Статистическое расположение разнородных атомов в твердом растворе замещения ( а и послойное расположение их в сверхструктуре ( б. [33]

В твердых растворах замещения ( ТРЗ) помимо статистического распределения замещающих атомов в КР хозяина иногда наблюдается закономерное расположение разнородных атомов. Так, в изоморфном растворе Си-Аи при температурах выше 408 С гранецентрированные позиции решетки статистически занимают Аи - и Cu-атомы. Это сверхструктура со свойственными ей существенно иными, чем при статистически упорядоченной структуре, термическими, электрическими и механическими свойствами. [34]

График зависимости энергии взаимодействия ионов U от расстояния между ними. [35]

Кроме точечных дефектов ( вакансий и внедренных атомов), кристаллическая решетка содержит протяженные дефекты в виде дислокаций, т.е. отклонений от закономерного расположения атомов. Простейшими типами дислокаций являются краевая и винтовая дислокации. При отсутствии внешней нагрузки в кристаллической решетке тела наблюдается динамическое вполне устойчивое равновесие между рождающимися и гибнущими дислокациями и точечными дефектами. Приложение к телу нагрузки сдвигает это равновесие в сторону размножения дислокаций и точечных дефектов. [36]

Коэффициент А соотношения ( VIII, 1 в зависимости от значения параметра. [37]

Для аддитивных свойств, когда значения А в соотношении ( VIII, 1) для всех сопоставляемых рядов одинаковы ( см., например, рис. 167), закономерное расположение прямых будет выражаться в закономерном изменении расстояний между ними. [38]

Если взять большое число атомов и пренебречь наличием ближнего порядка у жидкости, то мы можем сказать, что твердое состояние в отличие от жидкого и газообразного характеризуется определенным, закономерным расположением атомов в пространстве, Правильное, закономерное расположение частиц ( атомов, молекул) в пространстве характеризует кристаллическое состояние. Поэтому в физике кристаллическое или твердое состояния - это синонимы. [39]

Разложение солнечного луча призмой. [40]

Для физической характеристики того или иного вещества наибольшее значение имеет обычно выяснение тех условий, при которых происходит изменение его агрегатного состояния ( газообразного, жидкого или твердого) В твердом виде каждое вещество характеризуется некоторым строго закономерным расположением составляющих его частиц, в газообразном и жидком - более или менее беспорядочным. [41]

Для сравнения двухслойной кривой вертикального электрического зондирования с набором стандартных кривых кальку с нанесенной кривой ВЭЗ накладывают на двухслойную палетку и, сохраняя параллельность осей, добиваются совпадения кривой вертикального электрического зондирования с одной из стандартных кривых или же закономерного расположения ее между двумя соседними стандартными кривыми. Удельное сопротивление нижнего слоя р2 легко определить, если провести горизонтальную линию, к которой будет асимптотически приближаться часть кривой ВЭЗ, соответствующая большим значениям г. Указанная линия отсечет на оси ординат кривой ВЭЗ значение удельного электрического сопротивления нижнего слоя. [42]

Переход к кристаллическому состоянию характеризуется появлением определенной структуры. Закономерное расположение частиц, составляющих вещество, является признаком кристаллического состояния. [43]

Силы взаимодействия двух атомов ( а и изменение По-генциальной энергии атомов в кристаллической решетке ( б. [44]

Сближение атомов ( ионов) на расстояние меньше Rn или удаление их на расстояние больше Rn осуществимо лишь при совершении определенной работы против сил отталкивания или притяжения. При закономерном расположении атомов в металле с образованием правильной кристаллической решетки будет реализовано состояние с минимальной энергией взаимодействия атомов. [45]

Страницы: 1 2 3 4