Геометрическое расположение
Cтраница 1
Геометрическое расположение и расстояние между донорными атомами лиганда зависят прежде всего от центрального атома металла и являются разными для каждого вида ионов металла. Фиксированные группы незакомплексованной хелоновой смолы, даже если она монофункциональна, не существуют в той конформации, которая требуется для данного иона металла. [1]
Геометрическое расположение ионов в ионных кристаллах будет подробно рассмотрено ниже. [2]
Геометрическое расположение электродов может быть таким, что коллектор будет находиться вне досягаемости падающего пучка электронов, так называемого пучка первичных электронов. При этом, можно заметить, что мишень становится источником электронов, вылетающих из нее с малой начальной скоростью ( в несколько вольт) и устремляющихся к коллектору. [3]
Геометрическое расположение связей в координационных комплексах определяется теми же факторами, которые обсуждались в гл. Как мы уже знаем, это расположение определяется отталкиванием валентных электронных пар, которое в устойчивой конфигурации молекулы должно быть минимальным. При этом стереоактивными являются не только связывающие, но и несвязывающие электронные пары. [4]
Геометрическое расположение полимерных молекул может ограничивать эффективность взаимодействия сильно притягивающихся групп. Классическим примером может служить так называемый зигзаг - эффект влияния структуры полимеров на температуру плавления. [5]
Другое геометрическое расположение проводов влияет на это соотношение в незначительной степени. [6]
Геометрическое расположение пучка возбуждающего света и выбор направления наблюдения флуоресценции по отношению к образцу остаются одними из наиболее спорных пунктов при изготовлении спектрофлуориметров. Отчасти это обусловлено разными назначениями приборов в каждом конкретном случае, отчасти - различной чувствительностью используемых приборов, а также и тем, что многие путают понятия тушения и эффекта внутреннего фильтра. [7]
Если геометрическое расположение термометра и капилляра в приборе для определения температуры плавления от определения к определению изменяется незначительно или совсем не изменяется, то в этом случае точнее и целесообразнее определять величины поправок для различных частей шкалы термометра при помощи контрольных веществ, температура плавления которых точно измерена. [9]
 |
Принцип выбора запоминающего элемента в селектроне. [10] |
Пусть геометрическое расположение элементов конструкции и подаваемые на них потенциалы рассчитаны таким образом, что электронный поток пропу скается только тем квадратным отверстием или окном решетки, которое со всех сторон ограничено пластинами, обладающими нулевым или положительным относительно катода потенциалом. Такие пластины в дальнейшем будем считать находящимися под высоким потенциалом. Если нужно осуществить запись или считывание в ячейке ЗУ, соответствующей окну № 6, то высокий потенциал должен быть подан на вертикальные пластины бив и горизонтальные пластины ж и и, которые на рисунке заштрихованы. [11]
Найдите такое геометрическое расположение одного протона и двух электронов, чтобы потенциальная энергия этой системы была точно равна нулю. Сколько имеется таких положений для трех частиц на одной и той же прямой линии. [12]
В-третьих, геометрическое расположение осей отверстий определяется конструктивными требованиями и чаще всего задается относительно какой-либо другой точки и не имеет явно выраженной координатной формы. Например, в коробках скоростей оси отверстий строго связаны между собой межосевыми расстояниями, и только одно из них может быть привязано к некоторому началу координат. Поэтому для того чтобы определить координаты точки в системе координат, связанной с деталью, часто требуется рассчитать сложную размерную цепь. В существующих системах для выполнения расчета каждой координаты необходимо записать в исходных данных весьма громоздкое арифметическое выражение. Неудобство этого способа заключается в том, что эти выражения являются источником многочисленных ошибок. Внесение же исправлений в какой-либо размер требует практически нового задания исходной информации. [13]
Для обозначения геометрического расположения лигандов в комплексах используют специальные приставки. [14]
Исходя из идеального геометрического расположения элементарных нитей в крученой комплексной нити были выведены уравнения, увязывающие прочность крученой нити со свойствами составляющих ее элементарных нитей и круткой. [15]
Страницы: 1 2 3 4