Cтраница 3
Структура кварцевого стекла SiO2; показано беспорядочное расположение тетраэдров. [31]
В реальных растворах, однако, беспорядочное расположение молекул невозможно. В первом случае энтропия при растворении уменьшается, во втором возрастает. [32]
Так как переход от упорядоченного к беспорядочному расположению по необходимости должен быть непрерывным, невольно возникает вопрос, каким образом он может приводить при плавлении к скачкообразному изменению ряда свойств, как, например, молекулярных объемов. [33]
Газообразное состоя ни е вещества характеризуется беспорядочным расположением частиц, имеющих очень слабую связь между собой и находящихся в непрерывном и беспорядочном тепловом движении. Частицы вещества в газообразном состоянии стремятся заполнить весь возможный объем. [34]
Специфический твердорастворный вклад в электросопротивление обусловлен беспорядочным расположением атомов разных сортов, которое нарушает периодичность кристаллической решетки и вызывает дополнительное рассеяние электронных волн. Но при возникновении сверхструктуры расположение атомов обоих сортов становится периодическим. Поэтому при температуре упорядочения ( она называется точкой Курнакова) сопротивление твердого раствора должно резко падать. [35]
Древесноволокнистые плиты имеют однородное строение при беспорядочном расположении волокон, что объясняется условиями формования плит, так как концентрация волокон в массе при поступлении ее на сетку отливочной машины очень низкая. [36]
Точный анализ теплопроводности твердых элементов при беспорядочном расположении волокон очень труден. Задача осложняется также тепловым излучением сквозь волокна и возможностью обмена между тепловыми потоками за счет излучения и теплопроводности. [37]
Древесноволокнистые плиты имеют однородное строение при беспорядочном расположении волокон, что объясняется условиями формования плит, так как концентрация волокон в массе при поступлении ее на сетку отливочной машины очень низкая. [38]
Этот случай указывает на то, что беспорядочное расположение кристаллографических плоскостей какого-либо одного типа в пространстве еще не может служить основанием для заключения об отсутствии текстуры - необходимо проверить ориентировку нескольких типов плоскостей. [39]
В керамических материалах на основе рутила благодаря беспорядочному расположению в пространстве кристаллов рутила и наличию различных добавок диэлектрическая проницаемость меньше указанного значения, но все же превосходит ег большинства применяемых твердых диэлектриков. [40]
В керамических материалах на основе рутила благодаря беспорядочному расположению в пространстве кристаллов рутила и наличию различных добавок диэлектрическая проницаемость меньше указанного значения, но все же превосходит ег большинства, применяемых твердых диэлектриков. [41]
ГАЗ выражает стремление к дезагрегации, к беспорядочному расположению частиц, росту беспорядка в системе. [42]
AS отражает противоположную тенденцию - стремление к беспорядочному расположению частиц, к их дезагрегации. Система переходит в состояние с минимальной энергией лишь тогда, когда AS 0; если же ДЯ 0, то система переходит в наиболее неупорядоченное состояние. [43]
В случае аморфных твердых веществ, характеризуемых беспорядочным расположением атомов, зоны, общие для всего кристалла, не могут образоваться, поэтому электроны будут лишены возможности перемещаться, и следовательно такое вещество окажется диэлектриком. [44]
Двумя первыми методами получают штапельное волокно с беспорядочным расположением отдельных волокон; волокно затем упаковывают в кипы. Преимуществом третьего метода является сохранение параллельного расположения волокон в продолжении всего процесса. [45]