Правильное расположение - атом
Cтраница 3
 |
Схема краевой дислокации.| Схема винтовой дислокации. [31] |
Дислокации представляют собой дефекты кристаллического строения, вызывающие нарушения правильного расположения атомов на расстояниях, значительно больших, чем постоянная решетки. Они возникают случайно при росте кристалла и термодинамически неравновесны. Причинами образования дислокаций могут быть также конденсация вакансий, скопление примесей, действие высоких напряжений. Процесс преобразования скоплений точечных дефектов в линейные идет с уменьшением свободной энергии кристалла. [32]
В аморфных твердых телах, напротив, рентгенографическим методом никакого правильного расположения атомов не обнаружено. [33]
Долгое время считали, что активные центры являются местами нарушения правильного расположения атомов в одной плоскости на поверхности. Рогинского, К. С. Аблезовой, И. В. Мочан и Т. Ф. Целлинской ( 1935 - 1941 гг.) установлено, что идеально чистые вещества, поверхность которых, кроме того, лишена адсорбированных газов, не обладают каталитической активностью. Из результатов этих исследований вытекает, что непромотированных катализаторов вообще не существует, а активные центры являются местами не только физической, но и химической неоднородности поверхности. В специальных опытах было выяснено промотирующее действие акклюдированных газов ( азот, кислород и др.) и показано, что каталитическая активность металлов, являясь функцией концентрации примеси, имеет острый максимум; при значительней акклюзии эффект промотирования исчезает и может наступить отравление катализатора. Этими работами была открыта новая область газового промотирования. Мочан установлено, кроме того, влияние газообразных промоторов на скорость активированной адсорбции. Дубровская в 1936 г. показали, что обычные промоторы на поверхности катализатора находятся во много большей концентрации, чем внутри фазы, и в некоторых случаях накопление промотора на поверхности приводит к понижению активности катализатора. Полученная в описанных работах С. Кобозева зависимость активности катализатора от содержания в нем промотора заставляет предполагать наличие минимума у энергии активации реакции при определенном содержании промотора. Рогинский предполагает, что вместе с изменением содержания промотора изменяется скорость активированной адсорбции реагентов, участвующих в реакции, а следовательно, и скорость реакции. Этот вывод экспериментально подтвержден гидрогенизацией этилена на никеле и вольфраме. [34]
В реальных кристаллах всегда присутствуют дефекты строения, обусловленные нарушением правильного расположения атомов кристаллической решетки. Дефекты кристаллического строения подразделяют по геометрическим признакам на точечные, линейные, поверхностные и объемные. [35]
 |
Схема точечных несовершенств кристалла. [36] |
Кристаллы ( зерна) в поликристаллическом металле не имеют правильной формы и идеально правильного расположения атомов. В них встречаются различного рода несовершенства кристаллического строения, которые оказывают большое влияние на свойства. [37]
Плавление сопровождается таким возрастанием объема, которое не может быть совмещено с правильным расположением атомов в кристаллической решетке. [38]
Как уже указывалось, металлы, находящиеся в твердом состоянии, - имеют правильное расположение атомов, образующих так называемую кристаллическую или пространственную решетку. Решетка состоит из ряда параллельных кристаллографических плоскостей, отстоящих друг от друга на определенных расстояниях. [39]
Как уже отмечалось ранее, рентгеновские данные указывают на ограниченную протяженность областей с правильным расположением атомов углерода. Дислокационный механизм упорядочения может помочь ответить на вопрос, почему полная гра фитизация невозможна при температуре 1600 С. Причины заторможенного роста в модели Франклина менее ясны, если не принять во внимание изменение прочности связей между рассматриваемыми слоями. При этом для объяснения отсутствия перескока плоскостей в новое положение при одной и той же температуре необходимо учесть изменение прочности связи между другими областями упорядочения. В работе [41] рассмотрен механизм роста нитевидных кристаллов графита на винтовых дислокациях ( см. подразд. [40]
Выше был рассмотрен ряд вопросов, связанных с образованием равновесной поверхности кристалла, характеризующейся правильным расположением атомов. [41]
В предыдущем изложении предполагалось, что во всем кристалле, вне зависимости от его размера, сохраняется правильное расположение атомов. Однако тщательные исследования показывают, что это не так и при различных условиях роста кристалла в нем возникают разнообразные дефекты. [42]
 |
К расчету теоретического сопротивления срезу. [43] |
Существенное различие теоретической и фактической прочности металла привело к мысли о необходимости рассматривать не идеальный кристалл с правильным расположением атомов, а реальный, содержащий дефекты ( см. гл. В 1934 г. независимо друг от друга Тэй-лором, Орованом и Поляни впервые введено представление о сдвиге ( скольжении) одной части кристалла относительно другой посредством движения дислокации. [44]
Рассмотрим, наконец, что произойдет, когда пучок лучей падает на ряд идентичных плоскостей атомов ( с правильным расположением атомов в каждой), наложенных одна на другую через постоянные интервалы. Каждый атом можно рассматривать как принадлежащий к трем независимым рядам атомов, расположенным в разных плоскостях. [45]
Страницы: 1 2 3 4