Большая величина - сечение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Есть что вспомнить, да нечего детям рассказать... Законы Мерфи (еще...)

Большая величина - сечение

Cтраница 1


Большая величина сечений и наличие тонкой резонансной структуры объясняются тем, что процесс колебательного возбуждения происходит через образование промежуточного нестабильного отрицательного молекулярного иона, который распадается с образованием, в частности, и колебательно возбужденных молекул.  [1]

Лэкса [ 141 объясняет большие величины сечений захвата носителей заряда на возбужденные уровни центра рекомбинации.  [2]

Опытные данные качественно подтверждают такую большую величину оптического сечения атома или молекулы. В частности, эти сечения определяют величину коэффициента поглощения.  [3]

4 Сечения различных процессов при взаимодействии у-излучения с веществом. [4]

Нетрудно видеть, что кристаллы Nal ( Tl) более эффективны для регистрации у-излучения из-за большей величины сечения фотоэффекта и меньшей роли комптоновского рассеяния.  [5]

Ниже приведены ядерные свойства некоторых элементов, имеющих большую величину сечения ядерных реакций и поэтому использующихся в реакторе как поглотители нейтронов. Из приведенных элементов наибольшее практическое применение находят бор, серебро, индий, кадмий, европий и гадолиний.  [6]

Расчет сечений поглощения в линиях по формуле ( 6) из § 2 требует существенных затрат машинного времени. Это обусловлено, в первую очередь, наличием огромного количества спектральных линий в плотной плазме. Большое число линий связано с реализацией большого числа состояний различных ионов, которые, имея малую по величине концентрацию, могут давать вклад в коэффициент поглощения из-за большой величины сечения вблизи центра линии. Наряду с огромным количеством линий большие вычислительные трудности связаны с необходимостью учитывать различные эффекты, приводящие к расщеплению и уширению линий в плазме. Например, достаточно аккуратный учет расщепления и уширения линий за счет электрических полей соседних ионов приводит к увеличению времени счета в десятки раз.  [7]

Эти процессы ведут к установлению максвелловского распределения скоростей. Можно считать, что если для частиц данного сорта упругие столкновения происходят гораздо чаще неупругих столкновений и радиативных процессов, то скорости этих частиц будут распределены по Максвеллу. Для атомов и ионов, находящихся в основных состояниях, эти условия обычно оказываются выполненными. Из-за большой величины сечения кулоновского взаимодействия электроны, как правило, также имеют максвелловское распределение скоростей.  [8]

В настоящее время механизмы, ответственные за межзонную рекомбинацию через центры, плохо поняты. Таким образом, одноступенчатый межзонный переход, включающий эмиссию одного фонона, энергетически запрещен, и поэтому требуется привлечение многофононного процесса. Такой процесс обладает малой вероятностью, если только он не совершается в виде каскада, в котором происходит последова тельно несколько однофононных переходов между серией энергетических уровней, лежащих в пределах запрещенной зоны. Такой механизм был впервые предложен Лэксом 402, 403 ] для объяснения больших величин сечения захвата заряженными центрами в Ge и Si. Считается, что упомянутая серия энергетических уровней представляет собой возбужденные состояния однократно заряженного центра. Таким образом, процесс захвата в основное состояние заключается в том, что электрон вначале захватывается в возбужденное состояние, удовлетворяющее вышеупомянутому условию, после чего он может опускаться, как по ступенькам, по серии уровней, испуская каждый раз один фонон.  [9]

10 Типичные свойства ( при 300 К армирующих волокон для слоистых пластиков низкого давления. [10]

Борное волокно выпускают диаметром 100, 130 или 200 мкм. Его получают путем осаждения из паровой фазы на тонкую вольфрамовую проволоку. Прочность при сжатии борэпоксидных слоистых пластиков при температуре 4 К часто превышает 3450 МПа. Недостатками материалов является большая величина сечения захвата нейтронов и высокая их стоимость.  [11]

Из приведенного выше рассмотрения вполне разумно ожидать, что лазеры, в которых используются красители, могут генерировать на длинах волн в области спектра флуоресценции. Действительно, быстрая безызлучательная релаксация внутри возбужденного синглетного состояния S приводит к очень эффективному заселению верхнего лазерного уровня, а быстрая релаксация внутри основного состояния - к эффективному обеднению нижнего лазерного уровня. Фактически же первый лазер на красителях был запущен поздно ( в 1966 г.) [24, 25] относительно времени, с которого началось общее развитие лазерных устройств. Рассмотрим некоторые причины этого. Хотя такой недостаток частично компенсируется большой величиной сечения перехода, произведение тт [ напомним, что пороговая мощность накачки пропорциональна ( от) 1; см. (5.35) ] все же остается примерно на три порядка величины меньше, чем для твердотельных лазеров, таких, как Nd: YAG. Вторая трудность обусловлена синглет-триплетной конверсией.  [12]



Страницы:      1