Распределение - пространственный заряд
Cтраница 1
Распределение пространственного заряда теперь нам известно. [1]
Распределение пространственного заряда в полупроводнике можно изменять путем наложения электрического поля, направленного перпендикулярно к поверхности полупроводника. Это явление легко обнаруживается ( опытным путем при работе с газовой фазой) по наблюдению модуляции проводимости тонкой пластинки полупроводника, которая используется в качестве одной из пластин конденсатора. Временные постоянные различных поверхностных состояний могут быть измерены, если в опытах по влиянию эффекта поля наложить переменный потенциал. [2]
Распределение пространственного заряда в полупроводнике можно изменять путем наложения электрического поля, направленного перпендикулярно к поверхности полупроводника. Это явление легко обнаруживается ( опытным путем при работе с газовой фазой) по наблюдению модуляции проводимости тонкой пластинки полупроводника, которая используется в качестве одной из пластин конденсатора. Временные постоянные различных поверхностных состояний могут быть измерены, если в опытах по влиянию эффекта поля наложить переменный потенциал. При высоких частотах иногда можно оценить величину ( ей - cps) благодаря тому, что поверхностные состояния могут не реагировать на частоту изменения потенциала. [3]
Распределение пространственного заряда мы вычислять не будем, хотя сделать это нетрудно. [4]
Рассмотрим распределение пространственного заряда в электролите, индуцированного помещенным в электролит зарядом. Наличие теплового движения не позволяет ионам электролита под влиянием сил электрического взаимодействия полностью скомпенсировать заряд пластины. [5]
На рис. 5 показано распределение пространственного заряда, а также распределение ( по х) поля и потенциала с пространственным зарядом и без него. Так как разность потенциалов У0 остается постоянной, то площади, заключенные между сплошными и пунктирными кривыми, равны. Распределение потенциала в случае пренебрежимо малого пространственного заряда изображается прямой линией. С увеличением пространственного заряда прямая линия превращается в кривую, которую можно разбить на три части. Вблизи электродов потенциал изменяется относительно быстро и при более высоких плотностях тока образуются катодное и анодное падения потенциала тлеющего разряда. Средняя часть, в которой напряженность поля оказывается почти постоянной, переходит в положительный столб. Переход от однородного поля к неоднородному происходит плавно. Если в опытах наблюдается наличие резких изменений, то это происходит в основном только вследствие недостаточной стабильности параметров электрической цепи. [7]
Пытаясь улучшить совпадение расчетных значений С7П с экспериментальными, авторы работ [154, 155] сделали попытку учесть неоднородность распределения пространственного заряда обоих знаков у противоположных электродов. Подходы к рассмотрению проблемы в названных работах несколько различаются. При этом собственной проводимостью жидкости и обратной диссоциацией рекомбини-рующих ионных пар авторы пренебрегают. [8]
 |
Положительные ионы равномерно. [9] |
Для того чтобы получить простое математическое решение, рассмотрим подобный же случай, но с таким распределением пространственного заряда [66], которое физически не может быть осуществлено. Пусть разность потенциалов 1 / 0 приложена к параллельным пластинам, расстояние между которыми Id. [10]
 |
Трехмерная диаграмма группировки электронов. [11] |
Очевидно, что в СВЧ триоде также имеет место скоростная модуляция, но вследствие малости углов пробега ее воздействие на распределение пространственного заряда невелико. [12]
В этом параграфе мы хотим рассказать об ЭГД неустойчивости, возникающей в обычных жидкостях при условии, что имеется неоднородность распределения пространственного заряда и поля по объему жидкости. Затем мы покажем, что все неустойчивости, наблюдаемые на НЖК с Ае 0, по физическому механизму делятся только на два типа. [13]
Большие отрицательные характеристические корни типичны для многих задач, возникающих в контрольных системах, при получении скорости изменения сигнала, в задачах распределения пространственного заряда, в химии горения. [14]
Образование катодного пятна объясняется следующим образом. Распределение пространственных зарядов в тонком слое у катода таково, что здесь разряд требует для своего поддержания тем меньшей разницы потенциалов, чем меньше поперечное сечение канала разряда. Поэтому разряд на катоде должен стягиваться. [15]
Страницы: 1 2