Распределение - концентрация - заряд - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Оригинальность - это искусство скрывать свои источники. Законы Мерфи (еще...)

Распределение - концентрация - заряд

Cтраница 1


Распределение концентрации зарядов в послеразряд-ный период и при протекании нормального тока подготовки различно. Несмотря на общее увеличение зарядов в сеточном промежутке после прекращения анодного тока концентрация зарядов в районе сеточного отверстия и, следовательно, количество зарядов, проникающих в анодную область, по-видимому, уменьшается, что приводит к уменьшению чувствительности.  [1]

Но распределение концентрации зарядов IB этой области целиком зависит от распределения концентрации электронов и положительных ионов в граничащей с нею плазме, в которой Е может составлять около 1 в / см. Напряженностью того же порядка величины должно обладать поле в окрестностях катодного пятна. При такой напряженности А составляет не более 3 - 10 - 3 см. Из этого следует заключить, что электрическое поле вообще не может быггь отнесено к числу факторов, ограничивающих применимость правила соответствия к условиям дуги.  [2]

3 Диаграмма распределения концентраций при двух значениях коллекторного напряжения UK ( а я зависимость коэффициента передачи тока от напряжения UK ( б, от тока / к ( в и температуры ( г. [3]

Этим предельным режимам соответствуют прямые 1, 2 и 3, характеризующие ( приближенно) распределение концентрации зарядов в базе.  [4]

При этом будет приниматься, что ( поле вероятности задается некоторым усредненным для да иного цикла распределением концентрации зарядов в ионизационной области Vq, которое в свою очередь зависит от распределения концентрации в электронной оболочке пятна. Очевидно, максимум концентрации должен смешаться по отношению к центру области испарения всегда в том направлении, в котором оказывается наибольшей концентрация электронов в оболочке. В таком виде данная модель описывает лишь одну сторону процесса перестройки пятна, выражающуюся в простом перемещении его частей по катоду и характеризующуюся продолжительностью цикла порядка 10 - 7 сек. Чтобы с ее помощью можно было описать также упоминавшийся ранее процесс перестройки типа перераспределения тока между автономными пятнами, следует дополнительно принять, что число ячеек в пределах каждого автономного пятна может увеличиваться со временем или сокращаться, с чем должно быть связано изменение размеров пятен и переносимого ими тока. При этом полное количество ячеек в пятне, а следовательно, и общий его ток должны оставаться неизменными. Продолжительность подобного цикла, как уже - было установлено ранее, должна составлять по порядку величины 10 - 4 сек.  [5]

Точное знание мгновенного расположения и состояния области эмиссии для нас недоступно из-за быстрых, не поддающихся ( контролю изменений в распределении концентрации зарядов в лежащих выше областях, а также потому, что мы вообще не располагаем методами ее непосредственного наблюдения в рассматриваемых здесь условиях дугового разряда. Поэтому следует отказаться здесь от попыток описания всех изменений, ко-то-рьим подвергается сама область эмиссии. Нас будут интересовать ниже лишь изменения формы и расположения области испарения, которые в конечном счете определяют процесс перестройки катодного пятна и могут быть проконтролированы непосредственными наблюдениями. Но для описания этих изменений и не требуется точное знание расположения эмиссионной поверхности на катоде в каждый момент времени. Для этого достаточно лишь располагать сведениями о распределении вероятности W ( xy) нахождения области эмиссии на различных участках катода в течение каждого рассматриваемого цикла перестройки пятна. В самом деле, указанным полем вероятности однозначно задается распределение выделяемой на катоде тепловой энергии, от которой только и зависит направление процесса перестройки катодного пятна. Также в-порядке упрощения задачи допустимо считать, что центр области испарения каждой автономной группы ячеек, рассматриваемой как целое, просто смещается к концу данного цикла перестройки в точку, соответствующую максимуму вероятности нахождения центра эмиссии. Появление двух или большего числа таких максимумов может означать начало процесса деления этой группы на более мелкие автономные области или пятна.  [6]

В отличие от сплошных кривых пунктирные наклонные прямые изображают теоретическую зависимость ( 27), которая связывает пороговые значения напряженности поля, заметно влияющего а распределение концентрации зарядов и устойчивость пятна, с величиной давления газа. Более крутая из прямых относится к случаю сейша, тогда как - более пологая рассчитана для гелия. Интересно то, что они оказались смещенными по отношению к экспериментальным точкам в противоположных направлениях.  [7]

8 Схема замещения ( а и диаграмма распределения концентрации ( б л.| Схемы включения транзистора с общей базой ( а, общим эмиттером ( б и общим коллектором ( в. [8]

Из этих диаграмм видно, что при заданном токе / э на входе и изменении напряжения t / кв на t / кв одновременно с сокращением ширины базы изменяется распределение концентрации зарядов рп, так что прямая / переходит в прямую 2, имеющую больший угол наклона. Такому изменению распределения соответствует увеличение эмиттерного напряжения. Следовательно, коллекторное напряжение, модулируя толщину базы, одновременно воздействует на эмиттерное напряжение.  [9]

Следует принять, что расположение области эмиссии на катоде в - каждый рассматриваемый момент времени определяется расположением максимума концентрации зарядов в областях Vq и V, которое в свою очередь зависит от распределения концентрации электронов в электронной оболочке катодного пятна. Ввиду непрерывных, не поддающихся контролю изменений распределения концентрации зарядов во всех указанных областях область эмиссии должна претерпевать непрерывные быстрые изменения. От ее преимущественного расположения на катоде в течение рассматриваемого цикла перестройки пятна зависит направление перестройки, выражающейся в конечном счете в смещении области интенсивного испарения металла и изменении ее формы.  [10]

Схема тиристора, включенного в цепь такого источника, приведена на рис. 6.25, а. В структурную схему тиристора вписаны кривые / - 5 и Г-5, иллюстрирующие распределение концентрации зарядов в базах в различные моменты времени в период включения.  [11]

12 Зависимость относительной интенсивности высвечивания радикалов СН, С2 и ОН от содержания кислорода в горючей смеси. Расстояние от края горелки ( в см. 1 - 0 0 ( за срезом горелки. 2 - 1 5. 3 - 3. 4 - 4 5. [12]

Профиль наблюдаемой осциллограммы характеризует распределение концентрации зарядов в направлении пересечения зондами пламени.  [13]

14 Зависимость относительной интенсивности высвечивания радикалов СН, С2 и ОН от содержания кислорода в горючей смеси. Расстояние от края горелки ( в см. 1 - 0 0 ( за срезом горелки. 2 - 1 5. 3 - 3. 4 - 4 5. [14]

Профиль наблюдаемой осциллограммы характеризует распределение концентрации зарядов в направлении пересечения зондами пламени.  [15]



Страницы:      1    2