Распределение - примесный атом
Cтраница 1
Распределение примесных атомов относительно центра дислокации может быть предположительно описано при температурах выше температуры конденсации статистикой Максвелла - Больцмана, а ниже температуры конденсации - статистикой Ферми - Дирака. Наличие примесных атомов в ядре дислокации, особенно выше температуры конденсации, термодинамически мало вероятно. [1]
Такое распределение примесных атомов в обогащенной приграничной зоне свидетельствует о равновесном характере сегрегации, т.е. об ее адсорбционной природе. [3]
 |
Сверхструктурная дислокация с вектором в сверхрешетке типа ЛВ3. [4] |
Характер распределения примесных атомов в кристалле с дислокацией будет другой, чем в бездислокационном кристалле. [5]
Неравномерность в распределении примесных атомов по длине дислокации усиливается при действии внешних напряжении, что связано с увеличением изгиба дислокационных сегментов. Это явление определяет, например, временную зависимость ВТ [ 11, с. Важным следствием описанного неравномерного распределения примесных атомов вдоль дислокации является влияние распределения дислокации ( дислокационной структуры) на эффекты упрочнения и охрупчивания при деформационном старении. [6]
 |
Распределение углерода в стали Х18Н10Т ( - 5 %, старение при 650 С, 1000 ч.| Изменение полуширины интерференционных линий в процессе старения при 650 С образцов., сталей Х18Н10Т и ОХ18Н10Ш. [7] |
Неравномерность в распределении примесных атомов по длине дислокации усиливается под действием внешних напряжений, что связано с увеличением изгиба дислокационных сегментов. [8]
 |
Изменение величины внутреннего трения в амплнтудно зависимой области при деформации и естественном старении кипящей стали. [9] |
В свою очередь это предполагает распределение примесных атомов у дислокаций по Ферми - Дираку ( дискретное распределение), так как в противном случае трудно объяснить как независимость Lc от у. [10]
Приложение напряжения вдоль какого-либо направления вызовет изменение распределения примесных атомов по всем положениям х, xz, з - При этом внедренные атомы будут стремиться перейти в позиции с минимальной энергией упругого искажения решетки матрицы, облегчающие деформацию в направлении действия силы. Дополнительная ( неупругая) деформация, вызванная перераспределением внедренных атомов возникает не мгновенно, но нарастает во времени. При совпадении периода вынуждающей силы с временем релаксации ( шт1) возникает релаксационный максимум. [11]
Пунктирная прямая 2 на рис. 2.16 соответствует распределению примесных атомов в эпитаксиальном слое, которое обычно является однородным. Выбор значения удельного объемного сопротивления эпитаксиального слоя рэп обусловлен необходимостью обеспечения достаточно высокого напряжения пробоя перехода база - коллектор. Кривая 3 соответствует распределению примесных атомов акцепторного типа в базе. При формировании эмиттернои области транзисторной структуры в качестве легирующего элемента обычно используют фосфор. Уравнение кривой 4 с высокой степенью точности может быть представлено двумя функциями дополнительного интеграла ошибок способом, описанным в настоящей главе. Ширину базовой области транзистора, заключенной между коллекторным и эмит-терным переходами, обычно выбирают в пределах 0 6 - 0 8 мкм с допустимыми отклонениями, составляющими 0 1 мкм. [12]
 |
К вычислению ширины р - - перехода. [13] |
На рис. 520, а и б схематически показано распределение примесных атомов и их пространственного заряда. Область р - - перехода разделяется на две части, заряженные положительно и отрицательно. [14]
Страницы: 1 2