Cтраница 4
Те же соображения Олфрея и Марка могут, однако, быть привлечены и для объяснения, исходящего из распределения кристаллов по величинам. Изменение энтро - пии при образовании крупных кристаллов высокополи-меров и при образовании того же количества кристаллического вещества, но распределенного среди ряда мелких; кристаллов, должно быть различным вследствие изменений энтропии в сжимаемых аморфных участках. Интервал плавления может быть обусловлен при постоянной теплоте плавления различным распределением величин кристаллов, поскольку температура плавления определяется как отношение изменений энергии и энтропии при плавлении. [46]
Система уравнений (6.626) - (6.634), (6.637), (6.639), (6.641) представляет собой общее математическое описание процесса кристаллизации, учитывающее распределение кристаллов по размерам, их рост и взаимодействие с жидкой фазой. На основе полученной системы уравнений возможно описание промышленных процессов кристаллизации. Далее рассмотрим наиболее распространенные промышленные способы проведения кристаллизации и исходя из общего описания приведем соответствующие модели кристаллизаторов. [47]
Для реального поликристаллического вещества г) постепенно увеличивается, и это уравнение следует изменить так, чтобы оно учитывало распределение кристаллов различных размеров. [48]
Установленная связь между концентрацией парамагнитного азота в монокристаллах СА и интенсивностью полосы поглощения 1135 см 1 в ИК-спектрах позволяет использовать ИК-спектроско-пию для изучения распределения кристаллов в реакционной камере с различным содержанием азота. Был выполнен ряд опытов по синтезу в системе роста № - Мп-С в условиях, приближающихся к технологическим. [49]
Количественный анализ морфологии образцов полиэтилена с широким молекудярновесовым распределением, закристаллизованных при повышенном давлении с образованием кристаллов из вытянутых цепей, показал, что молекулярновесовое распределение и распределение кристаллов по толщине совпадают до молекулярного веса порядка 10000 [ 150J: На рис. 5.45 представлены кривые молекулярно-весового распределения и распределения по толщине кристаллов для трех образцов. [50]