Знак - коэффициент - холл
Cтраница 2
 |
Зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике от температуры при различной концентрации донорной примеси ( Л / лэ / Vn2 NRl. Wnl W №. [16] |
В германии и кремнии подвижность электронов заметно превышает подвижность дырок. При повышении температуры до состояния компенсации ( poUp п0 п) и дальше знак коэффициента Холла становится отрицательным из-за большей подвижности электронов, хотя концентрация дырок все еще превышает концентрацию электронов. [17]
 |
Зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике от температуры при различной концентрации донорной примеси ( Л / пз Л П2. [18] |
В германии и кремнии подвижность электронов заметно превы шает подвижность дырок. При повышении температуры до состояния компенсации ( рйЩ Ло п) и дальше знак коэффициента Холла становится отрицательным из-за большей подвижности электронов, хотя концентрация дырок все еще превышает концентрацию электронов. [19]
Нуссбаум [131] исследовал сплавы в виде монокристаллов, состоящие из нескольких процентов селена в теллуре. Удельное сопротивление и коэффициент Холла были измерены в области от 4 до 550 К. Обнаружено, что во всех случаях, как и у чистого теллура, дважды происходит смена знака коэффициента Холла. Область положительных значений коэффициента Холла лежит около 200 С. Установлено также, что ширина запрещенной зоны & Е растет при увеличении концентрации селена. [20]
Отклонение от линейности в области высоких температур ( малые значения 103 / Т) может быть вызвано температурным вырождением собственного полупроводника ( эффект легко заметен в материалах с узкой запрещенной зоной и малой плотностью состояний в разрешенных зонах) или спецификой процессов рассеяния при высоких температурах в более широкозонных полупроводниках. На линейном же участке температурная зависимость множителя ( 1 - Ь 1 ( - - Ь), входящего в выражение коэффициента Холла в собственном полупроводнике, оказывается малосущественной по сравнению с более сильной экспоненциальной зависимостью собственной концентрации. В области смешанной проводимости кривая зависимости для образца р-типа существенно отличается от кривой для образца n - типа. В образцах р-тлпа наблюдается инверсия знака коэффициента Холла. [21]
 |
Связь анизотропии удельного электросопротивления различных графитовых материалов до и после облучения. [22] |
В соответствии с увеличением степени графитации исходных образцов от О до 0 54 происходит изменение зонной структуры, что сопровождается ростом подвижности, уменьшением концентрации носителей заряда и увеличением электронной составляющей в процессе переноса заряда. С ростом степени графитации увеличивается магнетосопротивление, знак коэффициента Холла меняется с положительного на отрицательный, уменьшается электросопротивление. [23]
При 700 С подвижность электронов равна 1 1 - 103 см2 / в-сек. Если бы выполнялся закон T - 3iz, то при комнатной температуре это соответствовало бы величине 7 - Ю3 см2 / в-сек, в то время как максимальная измеренная величина равна всего 4 - Ю3 см / в-сек. Отношение подвижностей электронов и дырок, определенное по точке инверсии знака коэффициента Холла, равно 10, что соответствует подвижности дырок 4 - 102сл42 / в-сев при комнатной температуре. [24]
При фотоионизации локализованных состояний типа примесных атомов или F-центров возрастает концентрация носителей заряда только одного типа. При этом возможно два случая: неравновеснье носители заряда являются основными или неосновными. Если неравновесные носители заряда являются неосновными, а их концентрация превосходит темновую концентрацию основных носителей заряда, то меняется тип проводимости. При освещении полупроводника все кинетические явления могут протекать иначе, чем без освещения, например, может изменяться знак коэффициента Холла. [25]
При фотоионизации локализованных состояний типа примесных атомов или / - центров возрастает концентрация носителей заряда только одного типа. При этом возможно два случая: неравновесные носители заряда являются основными или неосновными. Если неравновесные носители заряда являются неосновными, а их концентрация превосходит темновую концентрацию основных носителей заряда, то меняется тип проводимости. При освещении полупроводника все кинетические явления могут протекать иначе, чем без освещения, например, может изменяться знак коэффициента Холла. [26]
Из указанных соединений наиболее полно изучено соединение с хлоридом трехвалентного железа. По мере уменьшения содержания трихлорида железа количество свободного графита увеличивается, а количество FeCl3 на единицу объема слоя в фактически образующемся соединении уменьшается. Внедренные монослои FeCl3 лежат между последовательными параллельными плоскими слоями атомов углерода. При внедрении молекул FeCls до суммарного, содержания их около 39 % межслоевое расстояние составляет 9 41 А. Расположение слоев друг относительно друга весьма произвольное, но между положениями атомов С и G1 имеется некоторая координация ближнего порядка. Система хлорид железа - графит имеет повышенную электропроводность по сравнению с графитом. Перемена знака коэффициента Холла указывает на переход электронов из графитовых слоев в слои трихлорида железа. Фаза с наибольшим содержанием молекул-гостей имеет голубоватый оттенок, что характерно для соединений графита ионного типа. [27]
Страницы: 1 2