Распределение - неравновесный носитель
Cтраница 1
Распределение неравновесных носителей по энергиям в энергетической зоне по существу не отличается от равновесного. Поэтому подвижности неравновесных носителей, их вероятности рекомбинаций и другие характеристики являются совпадающими в среднем с соответствующими характеристиками равновесных носителей тока. [1]
Анализ параметров распределения неравновесных носителей в базе в зависимости от их концентрации показал [118], что люкс-амперные характеристики таких фототранзисторов в зависимости От типа структуры и физических параметров полупроводника базовой области могут быть самыми разнообразными. При достаточно больших смещениях на ВАХ три-одных структур появляется участок отрицательного дифференциального сопротивления. [2]
Чем отличаются законы распределения неравновесных носителей в базе дрейфового и бездрейфового транзистора. [3]
Мы установили, что распределение неравновесных носителей по энергиям в зоне подавляющую долю времени их свободного существования не отличается от равновесного. [4]
На рис. 1.15 изображено распределение неравновесных носителей в отсутствие и при наличии электрического поля. Поскольку при решении задачи предполагалось выполнение электронейтральности, изображенное на рис. 1.15 распределение носителей заряда справедливо одновременно для неравновесных электронов и дырок. [5]
Для диода с неоднородной базой решено уравнение непрерывности и определены распределение неравновесных носителей и вольтамперная характеристика р-п перехода. Получено выражение скорости рекомбинации на контакте через электрофизические параметры полупроводника. Для определения частотной зависимости проводимости р-п перехода уравнение непрерывности для диода с неоднородной базой сведено к уравнению диода с бесконечной базой, решение которого дало зависимость сопротивления потерь, совпадающую с экспериментальными. Влияние невыпрямляющего контакта полностью учитывается введением эффективного времени жизни неравновесных носителей в базе. [6]
Величина Kg характеризует усиление, определяемое непосредственно влиянием - засветки на параметры распределения неравновесных носителей в базе. Особенно сильно оно проявляется при примесной засветке. [8]
 |
Схематическое изображение распределения песка, проходящего через щель в ящике ( аналогичное распределение неравновесных носителей в средней области. [9] |
Кроме того, следует учитывать, что взаимодействие двух переходов приводит к некоторому изменению закона распределения неравновесных носителей. [10]
Однако оказывается, что при некотором условии измеряемая фотопроводимость образца Да перестает зависеть от характера распределения неравновесных носителей в образце и определяется только их полным количеством. [11]
Чтобы получить более простое выражение для проводимости, используем тот факт, что для ее определения необходимо знать распределение неравновесных носителей лишь в окрестности x Q. Для этого преобразуем дифференциальное уравнение ( 1) к виду, который справедлив лишь в окрестности х 0, но дает простое решение типа ( 9), как в стационарном случае. [12]
 |
Упрощенная эквивалентная схема цепей транзистора-ключа в состоянии включено.| Переходные искажения. [13] |
Величина тэфф может отличаться от тэфф, поскольку в области насыщения оба р-п перехода находятся под прямым смещением и это существенно изменяет распределение неравновесных носителей и влияние поверхности и пассивных объемов полупроводниковой пластинки на их время жизни. [14]
Величина т фф может отличаться от тэфф, поскольку в области насыщения оба р-п перехода находятся под прямым смещением; это существенно изменяет как распределение неравновесных носителей в базе, так и влияние поверхности и пассивных объемов полупроводниковой пластинки на их время жизни. [15]
Страницы: 1 2