Распределение - плотность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Одежда делает человека. Голые люди имеют малое или вообще нулевое влияние на общество. (Марк Твен). Законы Мерфи (еще...)

Распределение - плотность

Cтраница 4


46 Сравнение распределений потоков нейтронов в активной зоне и в отражателе в случае одно - ( о и двухгрупповой ( б моделей. [46]

Пример распределения плотности потоков в активной зоне и отражателе приведен на рис. 9.11. Спад плотности потока тепловых нейтронов в активной зоне и соответствующий пик в отражателе вызваны замедлением быстрых нейтронов в отражателе. Пространственно-энергетическое распределение плотности потока нейтронов в активной зоне можно более точно определить из многогрупповой системы диффузионных уравнений, обычно используемых для описания критичности реактора.  [47]

Расчет распределения плотности сконцентрированного излучения на поверхности фотопреобразователей и определение оптимальной концентрирующей системы для реализации требуемого распределения - достаточно сложные задачи, решение которых должно осуществляться на единой методологической основе, до сих пор находящейся еще в стадии формирования. В данной главе изложены принципиальные положения теории концентрирования солнечного излучения, кратко рассмотрены основные методы расчета концентрирующих систем и представлены их энергетические характеристики.  [48]

Функцию распределения плотности рассматриваемой вероятности р ( X 9) dX принято называть функцией правдоподобия.  [49]

При нерегулярном распределении плотности над коллапсом могут преобладать другие процессы, к рассмотрению которых мы сейчас и переходим.  [50]

51 Структурное исследование кристаллов дихлоротетрапиридин-никеля. [51]

Если из распределения плотности устраняются все тяжелые атомы, то тем самым практически уничтожается ошибка обрыва ряда, так как именно с тяжелыми атомами связаны наиболее мощные волны обрыва.  [52]

При этом распределение плотности остается близким к экспоненциальному, а амплитуда скорости на разрыве стремится к константе. Конечно, здесь существует много невыясненных вопросов. Во-первых, требует уточнения модель теплопереноса в хромосфере.  [53]

Рассмотрим теперь распределение плотностей в покоящейся жидкости. Для этого сравним две одинаковые прямые вертикальные призмы, расположенные на одной и той же высоте в разных местах жидкости. Так как давление во всех тйчках жидкости, лежащих на одной высоте, одно и то же, то разность давлений на нижнее и верхнее основания для обеих призм должна быть одинакова, а значит, веса призм должны быть равны. Поскольку это справедливо для двух призм любой ( но одинаковой) высоты, то, следовательно, плотность жидкости ( или газа) во всех точках, лежащих на одной и той же высоте, должна быть одинакова. Этот вывод справедлив и для нескольких различных жидкостей, расположенных одна над другой, и для жидкости и расположенного над ней газа. Если этот ряд жидкостей или жидкость и газ находятся в равновесии, то, рассматривая условия равновесия для призмы, части которой расположены по обе стороны от границы раздела, мы придем к тем же самым выводам. Следовательно, граница раздела двух жидкостей разной плотности или жидкости и газа должна быть горизонтальной.  [54]

Если такое распределение плотности задать с самого начала, то оно будет сохранять свой вид затухающей синусоиды и в дальнейшем; при этом амплитуда возмущения как целого будет экспоненциально возрастать.  [55]

Рассмотрим теперь распределение плотностей Б покоящейся жидкости.  [56]

57 Распределение концентрации растворенного вещества в растворе-расплаве при принудительном охлаждении. [57]

Исследовалось также распределение плотности дислокаций по толщине и площади эпитаксиальных слоев в зависимости от структурного совершенства подложки, металла-растворителя и температурных условий эпитаксии.  [58]

59 Влияние температуры образования дислокаций на характер их распределения в поперечном сечении монокристаллов полупроводников. а - ячеистое распределение, образовавшееся при высоких температурах в области фронта кристаллизации ( полизолирующий, легированный хромом ар-сенид галлия, выращенный методом горизонтальной направленной кристаллизации, Х2 5. б - распределение в линиях скольжения, возникающее при низких температурах в области фронта кристаллизации ( легированный циклон фосфид индия, выращенный методом жидкостной герметизации, ХЗ. в - мозаичное, образовавшееся при высоких температурах вблизи фронта кристаллизации и на некотором удалении от него ( нелегированный арсенид галлия, выращенный методом горизонтальной направленной кристаллизации, Х2 5. [59]

Так как распределение плотности дислокаций по сечению монокристалла отражает распределение термоупругих напряжений в этом же сечении, то распределение дислокаций существенно зависит от симметрии теплового поля вокруг растущего монокристалла.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5