Распределение - плотность - состояние
Cтраница 1
 |
Фрагменты структур аморфного кремния с точечными дефектами ( а, гидрогенизированного аморфного кремния ( б и распределение. [1] |
Распределения плотности состояний в пленках аморфного кремния, не содержащих ( a - Si) и содержащих ( a - Si: Н) водород, показаны на рис. 5, в. Сравнивая этот рисунок с рис. 4, г, можно увидеть, что даже в аморфном кремнии, содержащем водород, хвосты валентной зоны, зоны проводимости, а также зона разрешенных состояний в середине запрещенной зоны перекрывают друг друга, образуя непрерывное по энергии распределение локализованных состояний в запрещенной зоне. [2]
 |
Графики распределения плотности состояний по энергии N ( E в. [3] |
График распределения плотности состояний собственного кристаллического полупроводника показан на рис. 4, а. В зоне проводимости и в валентной зоне такого полупроводника плотность состояний велика, а в запрещенной зоне - равна нулю. В запрещенной зоне электронного ( рис. 4, б) и дырочного ( рис. 4, в) кристаллических полупроводников появляется пик ( заштрихован), соответствующий донорным или акцепторным уровням. [4]
Однако сложность теоретического прогнозирования характера волнового вектора распределения плотности состояний полевых функций электромагнитного поля Е и Н, например через границу реагирующих сопрягающихся заряженных поверхностей, приводит к необходимости поиска новых физических и математических моделей границы раздела сред, требует постановки соответствующих новых физических экспериментов и разработки соответствующих моделей. [5]
Как можно видеть на рис. 7.1, 7.2, энергетические зоны и распределения плотностей состояний данных ПМ SiO2 достаточно подобны друг другу. Для р-тридимита углы Si-О - Si составляют 180; в сравнении с ос-кварцем существенно возрастает ЗЩ ( на - 0 9 эВ), изменяются относительные ширины отдельных валентных подполос и разделяющих их запрещенных зон. Для ос р-кристобалита реализуется прямая ЗЩ ( переход Г - Г); углы связей Si-О - Si варьируются в широком пределе ( от 137 до 180), в результате распределение электронной плотности ( рис. 7.2) имеет особенности, присущие ПС как а-квар-ца, так и р-тридимита. [6]
Сравнивая формулы (6.1) и (3.16), мы видим, что структура спектра инфракрасного поглощения тесно связана с распределением плотности комбинационных состояний. То же самое относится и к спектру комбинационного рассеяния. Но эти коэффициенты, по-видимому, не настолько быстро изменяются при изменении частоты, чтобы вызывать дополнительные изломы ветвей такого типа, как на кривых плотности комбинационных состояний. Кроме того, некоторые из коэффициентов могут обращаться в нуль, и тогда особенностей соответствующих структур не будет вовсе или же они будут сильно ослаблены. [7]
Несколькими авторами показано, что на результаты теоретического описания процесса проводимости с переменной длиной прыжка существенное влияние оказывает вид функции распределения плотности состояний по энергиям. [8]
 |
Зависимость индуцированной полем проводимости и емкости от смещения на затворе при 297 К для легированных бором ( / и нелегированных ( / / а-51. Н - МОП-структур [ 96. [9] |
Распределение плотности поверхностных состояний определялось из результатов, представленных на рис. 3.4.14, а распределение плотности собственных состояний в запрещенной зоне - из уравнения (3.4.18), Последнее распределение показано на рис. 3.4.15, причем здесь исключено влияние поверхностных состояний. Распределение плотности состояний в запрещенной зоне является, по-существу, U-об-разным и на нем отсутствует скачок. [10]
 |
Графики распределения плотности состояний по энергии N ( E в. [11] |
Поэтому вместо энергетических диаграмм часто используют графики распределения плотности состояний ( разрешенных уровней) по энергиям. Количество разрешенных уровней в единице объема материала в энергетическом диапазоне, равном 1 эВ, называют плотностью состояний. Плотность состояний откладывают по вертикальной оси, а энергию - по горизонтальной. [12]
Резонанс возможен также на электронах проводимости в полупроводниках. В простом случае электронного полупроводника уровень Ферми лежит в полосе между валентной зоной и зоной проводимости. Поэтому в функцию распределения плотности состояний, умноженную на f ( E) [ см. (8.1) ], не входят состояния около уровня Ферми EF. Однако если температура становится достаточно высокой, электроны, конечно, будут возбуждаться из валентной зоны в зону проводимости, и на них в принципе может наблюдаться электронный резонанс. [13]
Нечувствительность экспериментально наблюдавшихся полос двухмагнонного поглощения к внешнему магнитному полю, отмечавшаяся выше, объясняется тем, что в рассматриваемом процессе два магнона возникают на противоположных подрешетках. Поэтому внешнее поле, ориентированное вдоль оси упорядочения, увеличивает частоту магнона в одной подрешетке и уменьшает в другой, а следовательно, частота максимума полосы двухмагнонного поглощения остается неизменной. Таким образом, двухмагнонное поглощение позволяет исследовать распределение плотности состояний в спин-волновом спектре вблизи границы зоны Бриллюэна, однако с его помощью нельзя изучить зависимость спин-волнового спектра от внешнего магнитного поля. [15]
Страницы: 1 2