Распределение - зарядовая плотность
Cтраница 2
 |
Контурная диаграмма зарядовой электронной плотности молекулы Оа в нормальном состоянии. [16] |
Электронная характеристика молекулы О2 будет далеко недостаточной, если ограничиться рассмотрением конфигураций и набора потенциальных кривых. На рис. 106 представлена контурная диаграмма распределения зарядовых плотностей в сечении молекулы плоскостью, в которой лежит связевая ось. [17]
Степень, в которой свойства фрагмента молекулярной системы аддитивны, определяется степенью неизменности зарядового распределения данного фрагмента в различных системах. Действительно, метод вириального разбиения определяет фрагмент в рамках топографического описания распределения зарядовой плотности. [18]
Более того, последовательное определение границ фрагментов минимизирует различие между зарядовыми распределениями данных фрагментов в различных молекулах. Таким образом, метод вириального разбиения приводит к химически идентифицируемым фрагментам путем максимизации степени сохранения распределения зарядовой плотности и, следовательно, свойств каждого фрагмента в различных системах. [19]
На основании приведенных данных можно заключить, что, во-первых, даваемые программами Орбиталь-9 и Орбиталь - Ю, количественные результаты хорошо согласуются как с физическими соображениями, так и с результатами расчетов, выполненных другими авторами. Во-вторых, разработанные программы с упрощениями в духе метода GNDO позволяют при сравнительно небольших затратах машинного времени получать правильную картину ( речь идет о распределении зарядовой плотности), качественно согласующуюся с результатами строгих неэмпирических, а также традиционных полуэмпирических расчетов. [20]
Химическая связь в Ш - нитридах имеет смешанный ионно-ко-валентный тип. Эффекты зарядовой поляризации ( в направлении М - N, где М В, А1, Ga, In), обеспечивающие ионную составляющую связи, можно проследить на рис. 1.4, где приводятся контуры распределения зарядовой плотности ( р) вдоль линии связи М - N, а также карты изоэлектронных контуров в jtz - плоскости кристаллов. [21]
В отличие от задачи о р-канале в кремнии, где зонная структура также описывается сложным матричным гамильтонианом, в задаче о структуре подзон в узкозонных полупроводниках хорошо разработанных методов решения не имеется. Еще не установлено, как наличие поверхности или границы раздела сказывается на зонной структуре и какого вида граничные условия следует налагать на огибающую волновой функции. Изменение распределения зарядовой плотности при образовании инверсионного слоя не обязательно вызывается только избыточными электронами слоя. Важную роль может играть также деформация волновых функций валентных зон, которая в широкозонных полупроводниках обычно учитывается с помощью диэлектрической проницаемости хпп. Помимо таких фундаментальных вопросов существуют также чисто практические вычислительные трудности. Обычный вариационный принцип, пригодный для расчета - каналов в Si, здесь неприменим, поскольку в рассматриваемой системе энергетический спектр простирается до бесконечности как вверх, так и вниз. Но, несмотря на эти трудности, был предпринят целый ряд попыток рассчитать структуру подзон. [22]
Неспаренный электрон, делокализованный по системе связей в радикале, вызывает возмущение волновой функции всей системы и изменяет распределение электронной плотности. Это изменение приводит к различию в дипольных моментах радикалов по сравнению с дипольными моментами соответствующих им молекул. Таким образом, если ЭПР позволяет исследовать распределение спиновой плотности в радикале, то дипольные моменты дают возможность судить о распределении зарядовой плотности. [23]
 |
Схемы строения ( ЮО-поверхности кристаллов Nad ( ГЦК и CsCl ( ОЦК. [24] |
Однако использование в молекулярных расчетах потенциалов в виде бесконечных рядов не вполне удобно, так как не всегда известно, где обрывать суммирование. С другой стороны, такая форма потенциала в конечном счете связана с модельным представлением о распределении зарядов в решетке в виде точечных зарядов. По-видимому, наиболее простой и в то же время достаточной для описания приповерхностного потенциала могла бы быть модель гармонического распределения зарядовой плотности в решетке. [25]
Страницы: 1 2