Знак - носитель - ток
Cтраница 3
Взаимодействие газа или паров вещества, обладающего электронодонорными или электроноакцепторными свойствами, с кристаллом зависит от знака носителя тока. У антрацена, который имеет дырочную проводимость, газы с электроноакцепторными свойствами ( BF3, HC1, SCb, NO, 02) увеличивают фототек, а электронодонорные газы [ NH3, ( СНз) з, ( СгШЬО, С2Н5ОН, ЩО, ( СНзЬС-О ] уменьшают его30, поскольку они локализуют положительные дырки. Противоположная картина наблюдается у кристаллов с электронной проводимостью. Это явление также позволяет определять знак носителей тока. [31]
В зависимости от природы поверхностных зарядов доноров или акцепторов, их положения в системе энергетических уровнен и знака носителей тока в полупроводнике можно наблюдать появление как запорного, так и антизапорного слоя. [32]
Тем не менее изучение самых различных объектов этим методом может дать представление о порядке величины подвижности и знаке носителей тока. [33]
Их (7.88) следует, что, зная численную величину и знак постоянной Холла, можно определить концентрацию и знак носителей тока в проводнике. У электронных проводников RH отрицательна, у дырочных - положительна. [34]
При сильном искажении зон, как мы вадели ( рис. 71), непосредственно прилегающий к металлу слой полупроводника меняет знак носителей тока, а на некотором расстоянии от электрода появляется граница между дырочным и электронным механизмами тока, что и приводит к сильному выпрямлению, если эта граница настолько далека от металла, чтобы исключить туннельный эффект сквозь прилегающий к металлу слой полупроводника противоположного знака проводимости. [35]
При сильном искажении зон, как мы видели ( рис. 82), непосредственно прилегающий к металлу слой полупроводника меняет знак носителей тока, а на некотором расстоянии от электрода появляется граница между дырочным и электронным полупроводником, что и приводит к сильному выпрямлению, если эта граница настолько далека от металла, чтобы исключить туннельный эффект сквозь прилегающий к металлу слой полупроводника противоположного знака проводимости. [36]
Один из них заключается в облучении поверхности монокристалла TV-типа ионами, создающими акцепторные примеси, или быстрыми электронами, также изменяющими знак носителей тока. [37]
Посторонние примеси, а также избыток тех или других-ионов по сравнению с стехиометрическим составом не только резко меняют величину электропроводности, но и определяют знак носителей тока в полупроводнике. [38]
Работа транзистора р-п-р-типа отличается от работы транзистора п-р - n - типа тем, что процесс переноса электрического тока осуществляется дырками, и поскольку меняется знак носителей тока, то меняется и полярность питающего напряжения. [39]
 |
Молекулярные решетки нафталина ( а, антрацена ( б и хризена ( в. [40] |
Помимо этого, в случае фталоциа-нинов оказалось, что их разные кристаллические модификации могут различаться не только по величине сопротивления, но и по энергии активации проводимости, и даже по знаку носителей тока. [41]
Для составления термобатареи следует сочетать дырочный и электронный полупроводники с наилучшими электрическими тепловыми свойствами. Так как один от другого отличается только знаком носителей тока, то требования к остальным их свойствам будут одинаковы. [42]
Примеси имеют решающее значение для электрических свойств полупроводников: они изменяют сопротивление в тысячи и миллионы раз. Именно примеси создают наблюдаемую нами электропроводность, они определяют знак носителей тока, от их числа и характера в большой степени зависит длина свободного пробега электронов и фононов, определяющие подвижность, теплопроводность п диффузию в полупроводнике. [43]
Идея подобных опытов заключалась в следующем: если в металле имеются подвижные, слабо связанные с решеткой носители тока, то при резком торможении проводника эти частицы должны по инерции смещаться вперед, как смещаются вперед пассажиры, стоящие в вагоне при его торможении. Результатом смещения зарядов должен быть импульс тока; по направлению тока можно определить знак носителей тока, а зная размеры и сопротивление проводника, можно вычислить удельный заряд носителей. [44]
Главный недостаток всех таких образцов - их неоднородность: условия введения примесей ( например избытка либо недостатка кислорода или серы) различны для наружных и для более глубоко лежащих участков образца; часто примеси сосредоточиваются в поверхностных слоях отдельных кристалликов. Кроме того, отдельные кристаллики обычно отличаются друг от друга - иногда даже по знаку носителей тока. [45]
Страницы: 1 2 3 4