Cтраница 1
Распределение толщины в пограничного сдоя ( сплошная линия) и интенсивность теплообмена ( штриховая линия) на поверхности поперечно обтекаемого цилиндра. [1]
Распределение толщин слоев по разрезам описывается резко асимметричным распределением ( законом) Саттарова. Можно сделать вывод, что слоистая - структура является результатом процесса с постоянно меняющимся режимом. [2]
Распределение толщины и плотности прилипшего слоя по окружности труб неодинаково. [3]
Схема износа ЛБТ по наружному диаметру.| Схема определения геометрических параметров поперечного сечения ЛБТ в процессе эксплуатации. [4] |
Распределение толщины стенок и диаметров в поперечных сечениях труб также подчиняется нормальному закону распределения с высоким уровнем значимости. [5]
Однородность распределения толщины и удельного сопротивления по площади структуры определяется в основном конструктивными особенностями аппаратуры, используемой для получения эпитаксиального слоя. Она должна обеспечивать однородность температуры по площади подложки и состава контактирующей с ней газовой фазы. Структурные дефекты в эпитаксиальном слое появляются в результате наследования ими аналогичных дефектов из подложки, а также вследствие загрязнения растущего эпитаксиального слоя химическими соединениями, образующимися в результате взаимодействия осаждаемого элементарного полупроводника с остаточными кислород - и угле-родсодержащими газами в атмосфере, реактора. Неоднородный нагрев структуры в процессе эпитаксиального роста приводит к возникновению в ней напряжений, генерирующих различные структурные дефекты. Поэтому другим направлением улучшения технологии однослойных эпитаксиальных структур является совершенствование аппаратуры и повышение стерильности процесса. [6]
Оно удовлетворяет условиям ( 35, если. [7] |
Следовательно, распределение толщины ( 33) действительно дает конструкцию минимального веса лишь при не слишком большой длине оболочки. [8]
Исследование закона распределения толщины h показало, что соотношение ( 4) до некоторой степени справедливо лишь для сильфонов, изготовленных гидравлическим путем и имеющих неглубокую гофрировку. В большинстве же случаев формула ( 4) дает значительно большее утонение в вершинах гофров сильфона, чем это имеет место в действительности. [9]
Линии равных уровней толщины оптимальной окантовки. [10] |
Оптимальный вариант распределения толщины окантовки ( рис. 13.13) получен при том, что материал не вкладывался в местах наибольших напряжений. Как видно на рисунках, выбранное ограничение на суммарную толщину панели с окантовкой 8 их 12 мм, позволило удовлетворить ограничения на напряжения по всей площади панели, включая полоску шириной 8 мм по кромке выреза. [11]
Из анализа распределения толщины пограничного слоя 5е можно сделать вывод, что она изменяется слабо. [12]
Схема установки для измерения рассеивающей способности электролита. [13] |
В этом случае распределение толщин слоев металла следует первичному распределению тока. [14]
Приняв указанное выше распределение толщин изоляции до и после экрана как оптимальное, можно определить абсолютные значения потерь холода через изоляцию. [15]