Распределение - дефект
Cтраница 4
Закон распределения отказов в этот период определяется распределением дефектов изготовления после прохождения изделиями выходного контроля. Этот закон отражает уменьшение интенсивности отказов до постоянного значения в течение сравнительно короткого периода. [46]
 |
Зависимость между коэффициентом нагружения К и экспонен. [47] |
Значение экспоненты плотности дефектов т характеризует природу и распределение дефектов в материале. Численное значение т не описывает величину дефектов в материале, а только степень равномерности их распределения. [48]
 |
Общий вид искателя ИЦ-15Т для контроля эхо-зеркальным методом. [49] |
При выборе схемы прозвучивания необходимо изучить статистические закономерности распределения дефектов. Знание этих закономерностей позволяет существенно облегчить конструкцию аппаратуры и методики контроля. Так, например, если известно, что поперечные трещины возникают в зоне корня при двусторонней сварке, то контроль тандемом можно вести искателями, расположенными на фиксированном расстоянии между ними, а не прозвучивать все сечение шва. На рис. 79 показан разработанный ЦНИИТМАШ искатель тандем ИЦ-15Т, реализующий эту схему. [50]
При выборе схемы прозвучивания необходимо изучить статистические закономерности распределения дефектов, знание которых позволяет существенно облегчить конструкцию аппаратуры и методику контроля. Так, например, если известно, что поперечные трещины возникают в зоне корня при двусторонней сварке, то контроль тандемом можно вести ПЭП, расположенными на фиксированном расстоянии между ними, а не прозвучивать все сечение шва. В стыковых и угловых сварных швах часто возникают опасные дефекты непосредственно под валиком усиления. [51]
Основными ограничениями теории Андерсона являются допущения о хаотичности распределения дефектов в кристалле ( при условии их взаимодействия. [52]
Можно думать, что мы имеем дело с относительно замороженным распределением дефектов в пределах весьма тонкого слоя пассивирующего окисла, который формируется под воздействием ингибитора, кислорода и воды. При этом отрицательные заряды локализуются преимущественно у внешней границы окисла, а положительные-вблизи внутренней границы, поскольку работа выхода при пассивировании растет. [53]
В заключение следует отметить, что представления о статистически-беспорядочном распределении дефектов, позволяющие применять закон действующих масс, не бесспорны. [54]
При этом следует учитывать действие двух факторов, изменяющих распределение дефектов в кристалле и их концентрацию: электростатическое взаимодействие и диффузию. [55]
 |
Зависимость отношения ( г среднего заряда в октаэдрических и тетраэдрических центрах в обратной структуре шпинели ММ О4 от числа адсорбируемых атомов кислорода. [56] |
Если шпинель отклоняется от идеальной обратной структуры, то распределение дефектов в адсорбционном слое, удовлетворяющее требованиям топохимии, в процессе адсорбции будет иным и зависит от начального отношения М / М в объемной фазе шпинели. [57]
Страницы: 1 2 3 4