Угловое распределение - частица - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Поддайся соблазну. А то он может не повториться. Законы Мерфи (еще...)

Угловое распределение - частица

Cтраница 2


Так, например, были обнаружены существенные различия в угловом распределении частиц продуктов для различных реакций. В реакции К - f Вг2 - КВг Вг оказалось, что преимущественное направление движения образующихся молекул КВг совпадает с направлением пучка атомов калия. Это означает, что атом К срывает, пролетая мимо молекулы Вга, один из атомов Вг.  [16]

Так как 5-частицы попадают в счетчик неравномерно, то число импульсов, зарегистрированных счетчиком за одинаковые промежутки времени, будет отличаться друг от друга. Это объясняется не только флюктуацией числа распадов, но и флюктуацией углового распределения частиц, вылетающих из источника, флюктуацией в энергии р-частиц ( что приводит в свою очередь к флюктуации в числе частиц, проходящих сквозь активный слой препарата, воздух и окно счетчика) и другими случайными процессами. Отклонения скорости счета от среднего значения подчиняются определенному математическому закону, и поэтому можно заранее указать их наиболее вероятную величину.  [17]

С другой стороны, ряд направлений ( например, густо усеянных атомами кристаллической решетки) блокирован для движения. Естественно, что эффекты каналирования и блокирования сказываются как на угловом распределении отраженных частиц, так и на угловом распределении частиц в пучке, прошедшем через кристалл. Это распределение существенно зависит от взаимной ориентации падающего пучка и кристалла. Точечные дефекты ( в особенности примесные центры) оказывают влияние на процесс каналирования.  [18]

После изучения первичного пучка приступают к исследованию углового распределения рассеянных электронов. В нижний паз защиты устанавливают фольгу, толщина которой выбирается так, чтобы интенсивность пучка уменьшилась в 3 - 5 раз, и вновь с помощью диафрагм измеряют угловое распределение частиц. Из результатов опыта вновь находят число частиц в единице телесного угла как функцию угла Ф и изображают полученные результаты на том же графике, на котором построена кривая распределения первичного пучка. Полезно изобразить кривые в таких масштабах, чтобы число частиц при 0 0 изображалось отрезками равной длины, - уширение пучка вследствие рассеяния проявляется при этом особенно наглядно. Измеряют полуширину полученной кривой.  [19]

20 Радиальное распределение электронной плотности, о Установка. [20]

Техника измерений стандартна: быстрые нейтралы перезарядки, поступающие в атомный анализатор из плазмы, затем ионизуются путем обдирки в газе. Образующиеся ионы анализируются но энергии и массе по отклонению в электрическом и магнитном полях ж попадают в детектор, где регистрируются открытым умножителем, работающим в режиме счета отдельных частиц. Для получения информации об угловом распределении частиц используется наклон анализатора по отношению к плазменному шнуру с.  [21]

Интересные явления возникают из-за зависимости плотности уровней от углового момента. При малом угловом моменте в ф-ле ( 2) существен только множитель 2 / - -) - 1, соответствующий вырождению статистич. Угловое распределение частиц при этом получается изотропным.  [22]

23 Изменение коэфф. распыления при увеличении энергии бомбардирующих ионов.| Фигуры траплетщ граней ( 100, ( НО, ( 111. монокристаллы меди ( инизу и осадок из расплавленного вещества, полученный па экране, установлением параллельно распыляемой грани ( вверху. [23]

Образование на поверхности оксидных пленок приводит к значит, уменьшению N ( этим, напр. Относительно изменения N с ростом темп-ры мишени в литературе имеются противоречивые данные. N увеличивается с ростом атомного номера ( а следоват. Угловое распределение частиц, выходящих с распыляемой поверхности, анизотропно. Оно зависит от энергии ионов, а для монокристаллов еще и от типа кристаллич.  [24]

25 Фигуры травления граней ( 100, ( НО, ( 111. монокристаллм меди ( внизу и осадок иа расплавленного вещества, полученный па экране, установленном параллельно распыляемой грани ( вверху. [25]

Образование на поверхности оксидных пленок приводит к значит, уменьшению N ( этим, напр. V с ростом темп-ры мишени в литературе имеются противоречивые данные. Наблюдается сильная зависимость N от Л / 2, N увеличивается с ростом атомного номера ( а следоват. Угловое распределение частиц, выходящих с распыляемой поверхности, анизотропно. Оно зависит от энергии ионов, а для монокристаллов еще и от типа кристаллич.  [26]

Эти трудности, порожденные интерференционными эффектами и вариацией парциальных ширин, устраняются, если сделать два предположения, которые в совокупности известны как статистическое приближение. Первое из них заключается в том, что интерференционные члены, которые могут быть как положительными, так и отрицательными, имеют случайные знаки и поэтому сокращаются; это допущение восстанавливает симметрию углового распределения. Во-вторых, предполагается, что для всех перекрывающихся состояний парциальные ширины, соответствующие различным возможным каналам распада составного ядра, одинаковы; этим восстанавливается справедливость гипотезы независимости. Статистическое приближение позволяет использовать модель Бора в области, где энергетические уровни перекрываются. Возникает возможность проверки правильности сделанных допущений путем измерения угловых распределений испаренных частиц.  [27]

Интенсивность пучка 10 7 А, диаметр 0 5 мм и время экспозиции до 3 мин. Это позволило получать угловое распределение частиц, рассеянных кристаллом в приповерхностном слое, толщина которого определяется диапазоном интегрирования по энергии.  [28]



Страницы:      1    2