Любое распределение
Cтраница 4
Таким образом, при любом распределении основное отклонение служит мерой рассеяния значений случайной величины. [46]
Это выражение справедливо при любом распределении температур и скоростей внешнего потока. [47]
Согласно его представлениям следует принять любое распределение, если оно является результатом игры, ведущейся по объективным правилам. [48]
Вокруг этого иона может быть любое распределение положительных и отрицательных ионов. В отдельный момент времени может быть даже избыток положительных ионов над отрицательными. Но если проследить за системой в течение некоторого, достаточного промежутка времени, то окажется, что в среднем имеется некоторый избыток отрицательных зарядов над положительными. Этот избыток равен положительному заряду центрального иона. При этом отрицательный заряд распределен по всей оболочке, окружающей ион. Можно считать, что ион окружен отрицательно заряженной атмосферой. [49]
Вокруг этого иона может быть любое распределение положительных и отрицательных ионов. В отдельный момент времени может быть даже избыток положительных ионов над отрицательными. Но если проследить за системой в течение некоторого, достаточного промежутка времени, то окажется, что в среднем имеется некоторый избыток отрицательных зарядов над положительными. Этот избыток равен положительному заряду центрального иона. [50]
Доказать, что характеристическая функция любого распределения равномерно непрерывна на всей вещественной прямой. [51]
Полученное решение, представляя эффект любого распределения напряжений тгср, статически эквивалентного крутящему моменту mz, показывает, что влияние закона распределения этих напряжений экспоненциально убывает с воз растанием расстояния от торцов. [52]
 |
Схема непосредственного измерения мощности по способу двух ваттметров. [53] |
Этот способ пригоден также при любом распределении мощностей между фазами, но при непременном условии, что ток в нейтрали равен нулю. [54]
Легко убедиться, что при любом распределении электрического тока на поверхности такого экрана магнитное поле в части плоскости z0, соответствующей Si, будет нормально к последней. Действительно, электромагнитное поле, создаваемое любой системой электрических токов, может быть представлено в виде суперпозиции полей элементарных электрических диполей. Так как силовые линии магнитного поля элементарного диполя имеют форму концентрических окружностей с центром на его оси, то вектор Я в поле диполя всегда перпендикулярен плоскости, в которой лежит данный диполь. В нашем случае все диполи, экивалентные электрическому току в области S0, находятся в одной плоскости. [55]
Страницы: 1 2 3 4