Периодическое распределение

Cтраница 2

В общем виде периодичность свойств элементов объясняется особым периодическим распределением электронов в электрическом поле ядра, при котором электроны занимают уровни с наименьшими доступными для них энергиями. В многоэлектронных атомах усиливается взаимодействие между электронами внешних оболочек и атомными остовами. Энергия внешних электронов начинает сильно зависеть от главного квантового числа. Поэтому, начиная с четвертого периода, электронам становится энергетически более выгодным попадать в оболочку с большим значением главного квантового числа п, несмотря на то, что оболочка с меньшим значением п еще не завершена. Если построить зависимость энергии электрона от заряда ядра, то из этой зависимости вытекает приведенная выше реальная последовательность заполнения электронных оболочек. Клечковскому такая последовательность определяется суммой квантовых чисел ( п /) и подчиняется следующим закономерностям. [16]

Речь идет о гармоническом анализе в пространстве 2я - периодических распределений. [17]

Понятие об обратной решетке вводится в основном для описания периодического распределения отражающей способности кристалла по отношению к рентгеновским лучам. [18]

С помощью сферических функций наиболее удобно рассматривается вопрос о периодическом распределении тех или иных объектов. [19]

Таким образом, мы приходим к важному выводу о периодическом распределении включений в условиях когерентного сопряжения фаз. [20]

Основная особенность кристалла, выделяющая его среди других тел - это периодическое распределение вещества. [21]

Наоборот, когерентный кристалл может рассматриваться и в рамках одночастичной картины: периодические распределения плотности и самосогласованного поля взаимно поддерживают друг друга. Это соответствует когерентной волне плотности, обязанной бозе - конденсации пар частица - дырка ( для ферми-систем) или самих бозонов ( для бозе-систем) в состоянии с определенным волновым вектором k ф О и определенной фазой. [22]

Образование положительного двойного слоя на атомношероховатой поверхности ( увеличение. [23]

Расчеты можно выполнить, однако, для упрощенной модели [140-142], в которой периодическое распределение положительного заряда ( атомного ядра) в кристалле заменено на размазанную по всему кристаллу плотность положительных зарядов. [24]

Большой интерес представляют полупроводники со сверхрешет-ками, используемые явления в которых искусственно создаются периодическим распределением состава. В таких системах следует ожидать усиления и генерации электромагнитных волн с перестраиваемой электрическим полем - частотой. Уже созданы генераторы СВЧ диапазона на основе эффектаг Ганна. [25]

Нетрудно убедиться, что соотношения (1.7.9) - (1.7.11) определяют класс симметричных задач с периодическим распределением напряжений. [26]

Схема эшелона Майкельсона.| Ход лучей в эшелоне Майкельсона. [27]

В 70 - х гг. разработана новая технология изготовления решеток, основанная на создании периодического распределения интенсивности на специальных фоточувствительных материалах в результате интерференции лазерного излучения. [28]

Эти предположения не ограничивают общности постановки задачи, так как апериодическое распределение является частным случаем периодического распределения, если период последнего стремится к бесконечности. [29]

Интерференционная картина, полученная с двумя световыми пучками от двух разных лазеров. [30]

Страницы: 1 2 3 4