Хаотическое распределение
Cтраница 1
Хаотическое распределение компонент на молекулярном уровне в объеме раствора обеспечивает условия симметрии или, точнее, инвариантности компонент в модели. [1]
Хаотическое распределение ( 1) почти невзаимодействующих дислокаций формируется в условиях множественного симметричного скольжения, при сильном твердорастворном упрочнении или сильном самоторможении дислокаций, достаточно высокой энергии дефекта упаковки и малом ближнем порядке, сравнительно невысокой плотности дислокаций. [2]
Хаотическое распределение свойств по разрезу, в частности, нахождение высокопроницаемых нефтенасыщенных прослоев в центральной части разреза, а пропластков с пониженной проницаемостью - в прикровельной и подошвенной частях пласта. [3]
 |
Затухание виллемита в зависимости от энергии возбуждающих электронов. [4] |
Хаотическое распределение точек внутри поля вызвано только погрешностями эксперимента и свидетельствует о независимости кривой затухания от энергии возбуждающих электронов. [5]
 |
Расположение нитевидных кристаллов на нолокне при вискеризации из газовой фазы ( а и аэрозоля ( б. [6] |
Хаотическое распределение нитевидных кристаллов в одной плоскости имеет место при вискеризации из газовой фазы. Остальные способы, как правило, дают хаотическое распределение кристаллов во всем объеме материала. [7]
Изотропное хаотическое распределение волн остается изотропным в изотропно расширяющейся Вселенной, однако при любых отклонениях Вселенной как целого от фридмановской однородной и изотропной модели немедленно проявится важнейшая особенность газа, состоящего из гравитонов. Этот газ является бес-столкновительным, изотропия распределения волн по направлениям немедленно нарушается при анизотропном расширении Вселенной или при локально анизотропных воздействиях. [8]
Хаотическое распределение угловой структуры в решетке является следствием хаотического расположения ионов Fe3 и Сг3 по В-узлам. На основе статистической модели были проанализированы величины магнитных моментов ферритов системы МпРе2 жСгжО4 с учетом угловой спиновой структуры в В-подрешетке. [9]
 |
Расположение нитевидных кристаллов на нолокне при вискеризации из газовой фазы ( а и аэрозоля ( б. [10] |
Хаотическое распределение нитевидных кристаллов в одной плоскости имеет место при вискеризации из газовой фазы. Остальные способы, как правило, дают хаотическое распределение кристаллов во всем объеме материала. [11]
Зафиксировано хаотическое распределение атомов разных сортов; координационное число уменьшается с увеличением температуры. [12]
Для хаотического распределения волн по направлениям ( в среднем изотропного, без выделенного направления) поток энергии обращается в нуль, а пространственные компоненты псевдотензора дают изотропное ( паскалевское) давление. [13]
Из-за хаотического распределения наклона скатов волн отражение источника света ( Солнца, Луны, фонаря) в воде размазывается, причем расплывание этого изображения в стороны гораздо меньше, чем вдоль линии наблюдатель - горизонт. Это объясняется геометрией хода отраженных лучей. Отношение ширины освещенного участка к его длине равно синусу угла возвышения источника света над горизонтом. Темный треугольник над горизонтом - это иллюзия, обусловленная эффектом контраста. [14]
 |
Проверка уравнения для растворов SiCla ( l - СС14 ( 2. [15] |
Страницы: 1 2 3 4