Cтраница 3
Следует отметить, что формула ( 490) не учитывает влияния индуктивности L схемы рис. 352 и ряда других факторов. Поэтому она выражает соотношение между рассмотренными величинами лишь ч первом приближении. [31]
Однако это было сделано только с целью пояснения рассмотренных величин, и можно было бы ограничиться лишь формальным их определением. Теперь переходим к изложению основных законов. [32]
Эксперимент показывает, что V пропорциональна только что рассмотренной величине vl itf. При изучении коэффициента пропорциональности был обнаружен замечательный закон симметрии. [33]
В строке 7 приведены значения энергии простого куло-новского взаимодействия е2 / г, а в строке 8 - значения полной энергии электростатического взаимодействия между ионом тетраметиламмония и анионом при расстоянии между ними, равном межионному расстоянию в соответствующих кристаллах. Нетрудно заметить, что ряды селективности, определяемые рассмотренными величинами, даже отдаленно не напоминают ряды селективности, полученные экспериментально. [34]
Однако из-за наличия в каскадах УПТ паразитных параметров, прежде всего емкостей, обе рассмотренные величины изменяются с изменением со. [35]
В процессе анализа экспертным методом устанавливают возможность ( или опасность) возникновения различных факторов, влияющих на работу образцового расходомера. При этом следует подчерк-луть, что речь идет о влияющих величинах, воздействующих на образ - - цовый расходомер, в отличие от ранее рассмотренных величин, воздействующих на испытываемый расходомер и поэтому отнесенных в разряд эксплуатационных характеристик УС. [36]
Действительно, при этом, как и видно из уравнения (11.10), величина AG минимальна. Она характеризует результат одновременного влияния этих тенденций - их, так сказать, равнодействующую, а знак минус в уравнении (11.10) как бы олицетворяет противоположное влияние рассмотренных величин. Направление процесса определяется тем, что преобладает - энтальпийный или энтропийный фактор. [37]
V дг), причем можно считать, что обе эти величины определяются свойствами внутренней области. Согласно соотношению неопределенностей Гейзенберга, имеем r ( li / 2) K, где К - постоянная, распада. В окрестности резонанса рассмотренные величины постоянны практически совершенно точно. Их значения можно легко оценить; при этом получаются очень малые числа. Таким образом, ясно, что замена % на G является достаточно хорошим приближением. [38]
При настройке стабилизатора потенциометр R4 устанавливается в такое положение, при котором достигается требуемый уровень выходного напряжения. Если абсолютное значение выходного напряжения по каким-либо причинам возросло, то потенциал базы транзистора VT2 относительно точки А станет более отрицательным, при этом увеличится прямое смещение эмиттерного перехода транзистора VT2, так как напряжение на его эмиттере постоянно. Последнее означает уменьшение прямого смещения на эмиттерном переходе регулирующего транзистора VT1 и, следовательно, рост его сопротивления. Увеличение же сопротивления транзистора VT1 препятствует росту выходного напряже-жения. Если входное напряжение изменяется в противоположную сторону, то приращения значений всех рассмотренных величин носят обратный характер. [39]