Спектральное распределение

Cтраница 2

Спектральное распределение потока фотонов на выходе монохроматора и градуировочная кривая монохроматора приведены на графиках, приложенных к работе. [16]

Спектральное распределение испарительных нейтронов простирается до 10 - 15 Мэв и имеет максимум в области энергии 1 Мэв. Для спектра заряженных частиц, испускаемых при испарении, характерно то, что их максимум смещен в область больших энергий ( 5ч - 10 Мэв), что объясняется влиянием кулонов-ского поля ядра. [17]

Спектральное распределение излучаемой энергии зависит от температуры тела. При увеличении температуры тела длина волны, при которой наблюдается максимальная интенсивность излучения, также возрастает. [18]

Спектральное распределение фотоэлектрической чувствительности слоев красителей и знак световых носителей тока в них определялись методами статического [1-5] и динамического [5, 6, 16] конденсаторов. [19]

Спектральное распределение светового излучения экрана зависит от количественных соотношений между ними и обработки этих материалов. [20]

Спектральное распределение полной излученной энергии может быть поэтому найдено интегрированием по времени выражения для мгновенного спектрального распределения интенсивности излучения. [21]

Спектральное распределение излучения черного тела при 2800 К. [22]

Спектральное распределение излучения черного тела изображено на рис. 60; оно имеет максимум при длине волны, которая уменьшается при повышении температуры. [23]

Исправление спектра возбуждения вручную. [24]

Неблагоприятное спектральное распределение источников УФ-излучения часто не позволяет различить важные детали в неисправленном спектре возбуждения. [25]

Спектральное распределение излучения штифтовой лампы при температуре 1700 К показано на рис. 2.9. Селективность излучения зависит от состава и технологии изготовления штифта. Если необходимо более длинноволновое инфракрасное излучение, вместо штифтовой лампы применяют сшштовые излучатели, или глобары. [26]

Спектральная поверхностная плотность потока падающего излучения (. пад ( в различных зонах по высоте топки котлоагрегата ТГМП-114. [27]

Спектральное распределение поверхностной плотности потока излучения связано с собственным тепловым излучением СО2, Н2О и частиц сажи, а также эффективным излучением загрязненных поверхностей экранных труб. [28]

Оптическое освобождение дырок из ловушек в решетке антрацена, содержащей положительный ион тетрацена С, А, В, D, E, представляют потенциальные ямы вокруг смещенных молекул антрацена ( А, В, D, . и положительного иона тетрацена ( С. В ходе оптического освобождения из ловушек электрон на предпоследнем заполненном уровне тетрацена C i возбуждается на уровень вакансии Q, оставляя горячую дырку на C i. Электрон туннелярует из В или D в вакансию С ] с переносом горячей дырки на Д i ( или. ]. Горячая дырка рекомбиниру-ет с электроном на В0 ( или ZJ0 с переносом дырки на уровень BQ ( или DO. Дырка теперь может совершить переход в зону дырочной проводимости или вернуться назад к молекуле тетрацена. Электронный переход из Со на разрыхляющую орбиталь. требует значительно более высокой энергии. [29]

Спектральное распределение квантового выхода фотоусиленного тока позволяет в принципе установить отличие роли экситонов в усилении тока от их участия в процессе инжекции с поверхности. В случае фотоинжекции с участием экситонов ток пропорционален градиенту концентрации экситонов у поверхности, и следует ожидать аналогичной зависимости ( пропорционально коэффициенту поглощения) для спектрального распределения квантового выхода при условии, что экситоны доминируют в процессе инжекции. В случае освобождения носителей из ловушек экситонами в объеме спектральное распределение квантового выхода фотоусиленного тока будет обратно пропорциональным коэффициенту поглощения, поскольку по мере увеличения глубины проникновения падающего света экситон встречает на своем пути больше носителей. [30]

Страницы: 1 2 3 4