Cтраница 1
![]() |
Блок-схема лучевого алгоритма.| Пример трассировки соединений с помощью лучевого алгоритма. [1] |
Распространение луча в этом направлении осуществляется до тех пор, пока не освободится путь для главного приоритетного направления. [2]
Схема распространения луча света через границу сред дана на фиг. [3]
![]() |
Зависимость поляризации выходного луча от сдвига фаз обыкновенного и необыкновенного лучей. [4] |
При распространении луча вдоль оси г в одноосном кристалле скорость света не зависит от характера поляризации. Если же к кристаллу прикладывается электрическое поле, то равенство пх и п нарушается и кристалл становится двуосным. При этом скорости распространения световых волн, поляризованных по осям х и у, также начинают различаться. [5]
При распространении луча света перпендикулярно к оптической оси одноосного кристалла на выходе из последнего между обыкновенной и необыкновенной волнами ( стр. [6]
Где a - угол распространения луча УЗ К в материале; Т - время, за которое импульс УЗ К проходит расстояние от излучателя до дефекта и обратно; tn - время прохождения импульса УЗК в призме искателя. [7]
С увеличением угла между направлением распространения луча и трещиной амплитуда отраженного луча, приходящего к датчику, уменьшается. Поэтому для обнаружения разнонаправленных трещин необходимо иметь как минимум две системы датчиков, расположенных взаимно перпендикулярно. [8]
Волновой вектор К определяет направление распространения луча света, векторы Е и Н - напряженности соответственно электрического и магнитного полей электромагнитной волны. Плоскость Q, в которой лежат векторы Е и Н, является плоскостью постоянства фазы электромагнитной волны. [9]
В соответствии с взаимной ориентацией направлений распространения луча 2 и напряженности электрического поля Е выделяют продольный ( г Е) и поперечный ( гЛ - Е) эффекты Поккельса. [10]
Электрическое поле световой волны перпендикулярно направлению распространения луча света. [11]
Например, в плоской задаче о распространении луча из точки X в точку X посредством п отражений возможно лишь Лгтах Е ( я / ф) отражений, где ф - угол раствора клина и EU) - целая часть числа. [12]
При меньшем удалении исследуемого объекта от антенны непрямое распространение луча происходит под большими углами в диаграмме направленности антенны и может вызвать лишь слабый интерференционный эффект. [13]
Диаметр пучка и фаза изменяются в процессе распространения луча. [14]
Ось резонатора соответствует экстремальному оптическому пути при распространении луча между образующими зеркалами. Эта линия - прямая в двухзеркальном резонаторе, ломаная - в многозеркальном. В кольцевом резонаторе осевая линия образует замкнутый многоугольник. Нетрудно заметить, что такая линия существует и единственна почти для любой конфигурации резонатора, как устойчивого, так и неустойчивого. Исключением являются плоский и концентрический резонаторы. [15]