Ионное распыление

Cтраница 3

Чаще всего для ионного распыления используется система двух плоскопараллельных электродов. Однако существует еще несколько разновидностей метода, предложенных в основном с целью применения его к области более низких давлений. При этом исходили из ошибочного предположения, что пленки, полученные ионным распылением при более низких давлениях, являются более чистыми ( см. например, ряс. [31]

Влияние температуры подложки при нанесении пленок SiO2 ВЧ распылением на качествб этих йл енок. [32]

Важным преимуществом метода ионного распыления является то, что пленки многокомпонентных материалов, полученные этим методом, во многих случаях имеют тот же химический состав, что и материал распыляемого катода. Сказанное справедливо и в тех случаях, когда скорости распыления отдельных компонентов существенно различны ( см. гл. Если же происходит значительное повторное распыление нанесенного материала ( см. далее), близкого соответствия составов пленки и мишени не будет. В самом начале распыления многокомпонентного катода с его поверхности быстрее всего уходит компонент с наибольшей скоростью распыления. [33]

К преимуществам метода ионного распыления относятся: возможность осаждения a - Si: Н при отсутствии токсичных газов, более точный контроль условий конденсации и меньшая степень загрязнения пленок кислородом и азотом. [34]

Оригинальные статьи по ионному распылению публикуются теперь во многих журналах. [35]

Пленки, наносимые ионным распылением, могут, как подчеркивалось ранее, подвергаться повторному распылению. Это происходит либо под действием бомбардировки быстрыми нейтральными атомами и отрицательными ионами, выбиваемыми из поверхности катода или из прилегающей к нему области, либо, в случае диэлектрических пленок, под действием бомбардировки положительными ионами, которые могут ускоряться по направлению к поверхности пленки в поле достаточно большого отрицательного плавающего потенциала пленки. [36]

Изображение кратера, полученного при распылении и анализе методом. [37]

МСВИ) опираются на ионное распыление. [38]

В последние годы для ионного распыления стала использоваться простая двухэлектродная ВЧ система, причем несколько промышленных установок такого типа имеется в продаже. В них возбуждение плазмы осуществляется с помощью высокочастотных полей. [39]

Для теоретического описания механизма ионного распыления весьма важным является знание пространственного распределения атомов, испускаемых при ионном распылении монокристаллов. Ранние теории ионного распыления можно разделить на два типа, в основе которых лежат два главных механизма распыления: механизм передачи импульса и механизм термического испарения из точек перегрева. На протяжении почти двадцати лет распределение распыленного материала по закону косинуса, установленное Зеелигером и Зоммермейером [81], служило общепризнанным доказательством справедливости механизма термического испарения. [40]

Разногласия относительно теоретической интерпретации ионного распыления будут, вероятно, в течение некоторого времени еще существовать, так как эта проблема весьма сложна. Существует определенная тенденция отбирать только те экспериментальные данные, которые подтверждают предлагаемую теорию, и игнорировать другую информацию. Однако в оправдание теоретиков следует подчеркнуть, что определенная степень отбора данных оправдана и необходима, так как опубликовано много некорректных экспериментальных данных. Вполне возможно, что в случае ионного распыления, как и при решении других сложных проблем, вычислительные машины в проведении определенных вычислений будут играть все возрастающую роль Лучшая современная теория ионного распыления, теория Зигмунда [158], не требует использования вычислительных машин. [41]

Силовые линии магнитного поля. [42]

Пленки, полученные методом ионного распыления, обычно нельзя отличить от пленок, полученных другими методами. Однако имеются данные, согласно которым процесс роста пленок при ионном распылении существенно отличается от процесса роста пленок, например, при вакуумном термическом испарении. Сравнивая пленки кадмия, полученные ионным распылением и Испарением, он пытался выяснить, существует ли при ионном распылении критическая плотность зародышеобразования, обнаруживаемая в случае испа-рен ия. [43]

Тлеющий разряд и распределение потенциала напряжения в его областях. [44]

Существует ряд теорий процесса ионного распыления. Наиболее вероятной является теория, объясняющая процесс катодного распыления с позиции импульсного механизма. Согласно этой теории положительный ион, ударясь о поверхность катода ( мишень), проникает в него на некоторую глубину. При этом ион смещает отдельные атомы решетки, постепенно теряя энергию и переходя в состояние покоя. Некоторые из смещенных атомов диффундируют к поверхности катода и отрываются от нее. Помимо этого, часть смещенных атомов, приобретая достаточную энергию, производит дополнительное смещение соседних, что существенно увеличивает эффективность распыления. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5