Cтраница 1
Локальное рассеивание мощности элементами ИМС при определенных условиях вызывает существенные температурные градиенты в кристалле, которые приводят к сильному изменению электрических режимов и характеристик всей схемы. [1]
На рассеивание мощности Р0 и должен быть рассчитан радиатор транзистора или анод лампы. [2]
На рассеивание мощности РО должен быть рассчитан радиатор транзистора или анод лампы. [3]
Плоскостные транзисторы. [4] |
Они допускают рассеивание мощности на приборе до 150 мет. [5]
Регулирование величины рассеивания мощности, изменяющейся по мере твердения бетона при наличии одной ступени напряжения, не осуществимо. Частичное регулирование может быть достигнуто установкой дополнительных электродов, включаемых на том или ином этапе прогрева. При невозможности осуществить и это, прогрев следует регулировать выключением и включением тока или же установкой электродов на таких расстояниях, при которых величина рассеиваемой мощности была бы по возможности близкой к среднему ее значению, требуемому на обоих этапах прогрева. [6]
Тангенс угла диэлектрических потерь tg6 характеризует рассеивание мощности переменного тока в диэлектрике и превращение этой мощности в тепло. [7]
Поскольку в дискретных устройствах крутизна фронта импульсов велика, рассеивание мощности на транзисторах протекает в течение очень короткого времени и среднее значение этой составляющей обычно мало. [8]
Схемы регуляторов мощности с диодным мостом и тринистором и ключевыми приборами в цепи управления. динистором ( а, однопереходным транзистором ( б. [9] |
При открывании тринистора последний шунтирует свою цепь управления, предотвращая бесполезное рассеивание мощности на ее элементах. [10]
Зависимость входного тока смещения от диференциального входного напряжения для компаратора СМР-02. ( С разрешения фирмы Precision Monoliths, Inc. U, 15 В. То р 25 С. [11] |
И последнее замечание относительно входных характеристик: температурные градиенты на кристалле, обусловленные рассеиванием мощности на выходных каскадах, могут ухудшить указанное в спецификации напряжение смещения входов. [12]
В отличие от проводников подавляющее большинство диэлектриков обнаруживает характерную особенность: при данном напряжении рассеивание мощности в них зависит от частоты напряжения, причем затрата мощности при переменном напряжении заметно больше, чем при постоянном напряжении, и быстро возрастает при повышении частоты, а также при росте напряжения, при увеличении емкости и зависит от материала диэлектрика. [13]
Обычно точность расчета температурного режима приемников невысока, так как температурный коэффициент и коэффициент рассеивания мощности известны с некоторой неопределенностью. [14]
Обычно точность расчета температурного режима приемников невысока, так как температурный коэффициент и коэффициент рассеивания мощности известны лишь приближенно. [15]