Рассеяние

Cтраница 1

Рассеяние на двумерной решетке определяет положения и интенсивности дифракционных максимумов. Анализ геометрической картины дифракции дает возможность установить значения межплоскостных расстояний dn и постоянных решетки а для поверхности, исходя из положений максимумов. [1]

Рассеяние на ионах примеси, которое называют еще рассеянием Резерфорда, определяется кулоновским взаимодействием между заряженными носителями и ионами примеси. При повышении температуры кинетическая энергия носителей возрастает и рассеяние на ионах примеси ослабевает. Поэтому данный механизм рассеяния преобладает только при низких температурах. Для обычных примесных полупроводников величина Ni определяется из выражений (2.33) и (2.35) для п - и р-типа соответственно. [2]

Коэффициенты отражения для поверх - г. [3]

Рассеяние может происходить как в объеме оптических деталей, так и на их поверхностях. Объемное рассеяние происходит на мелких дефектах - пузырьках воздуха и локальных оптических неодно-родностях. Количество таких дефектов в хороших материалах ничтожно. [4]

Рассеяние, обусловленное флуктуацпями поляризуемости молекул, проявляется как эффект модуляции рассеянного света собственными колебаниями молекул. [5]

Пресс-форма для прессования таблеток адсорбента. [6]

Рассеяние удается сильно уменьшить, если отобранные таким образом частицы спрессовать в очень тонкие таблетки под большим давлением. В большинстве работ последнего времени используется методика прессования адсорбента в таблетки. [7]

Рассеяние в земной коре изотопов, образовавшихся при радиоактивном распаде, приводит к разбавлению таких же изотопов нерадиоактивного происхождения, на которых основываются соответствующие поправки при анализах. Эти поправки получаются на основании изменения очень малого содержания изотопа. [8]

Рассеяние от матрицы представляет очень узкий пучок, так как размеры ее велики, поэтому вне нулевого максимума интенсивность рассеяния от матрицы равна нулю. [9]

Рассеяние может быть представлено тремя полосами внутри области указанных выше частот. [10]

Рассеяние возникает в результате взаимодействия распространяющейся волны с неоднородностями среды, и это взаимодействие определяется неоднородным волновым уравнением. [11]

Рассеяние фононами происходит главным образом через Bjjp-туальные промежуточные электронные переходы. В соответствии с этим для падающих и рассеянных фотонов с энергией, близкой IE энергии междузонных переходов, в частотной зависимости црперечного сечения комбинационного рассеяния света должна появиться особенность, что можно использовать для изучения электронных переходов. В данном случае модулирующее возмущение не прикладывается извне, а осуществляется фононами. Однако наиболее важное применение резонансного комбинационного рассеяния света заключается в выяснении механизма рассеяния ( который всегда имеет какую-либо форму электрон-фононного взаимодействия) и определении, констант электрон-фононного взаимо - действия или деформационных потенциалов. Подробно резоналс-ное комбинационное рассеяние света - оптическими фононами обсуждается в гл. [12]

Рассеяние в CdS аналогично рассеянию в CusO, за исключением того, что в случае CdS зависящее от волнового вектора квадрупольное взаимодействие является электрон-фопоицым взаимодействием, а не электрон-фотонным. Поляризационные правила отбора для данного случая очень просты. Внутризощюе фрелиховское взаимодействие имеет симметрию Г, так как оно связывает s - состояния. Следовательно, тензор РКРС имеет ту же симметрию; что и тензор диэлектрической восприимчивости. В частности, в CdS он является диагональным и имеет резо-нансы при тех же частотах, что и главные компоненты тензора диэлектрической восприимчивости. [13]

Рассеяние от сгустков носителей в акусгоэлектрических доменах может быть отделено от рассеяния света фононами. Правил отбора или зависимости от длины волны света, и оно может служить дополнительным методом излучения электрон-фо-нонного взаимодействия в полупроводниках. [14]

Рассеяние на оптических неоднородностях [4] и дефектах поверхностей: первое имеет место в твердотельных и полупроводниковых лазерах, второе - на окнах разрядных трубок газовых лазеров. [15]

Страницы: 1 2 3 4