Cтраница 1
Рассеяние Мандельштама - Бриллюэна должно резонансно возрастать, когда падающий или рассеянный свет имеет частоту, близкую к частоте электронных переходов в среде. [1]
Для рассеяния Мандельштама - Бриллюэна аналогично й) з: Айщ, где k - целое. [2]
Спектры рассеяния Мандельштама - Бриллюэна ( тоя-кая структура рэлеевской линии) в CClt для разных углов рассеяния. [3]
Исследования рассеяния Мандельштама - Бриллюэна в объемных образцах плавленого кварца были проделаны [10] уже в 1950 г. Более поздние измерения [11], выполненные с одночастотным аргоновым лазером, показали, что VB 34 7 ГГц и A VB 54 МГц на длине волны Кр 486 нм. С учетом обратной зависимости VB от hp в (9.1.4) величина AvB должна быть пропорциональна К-2. В результате коэффициент ВРМБ-усиления почти не зависит от длины волны накачки. Если подставить в (9.1.6) типичные для плавленого кварца значения параметров, получится дв; 5 - 10 11 м / Вт. [4]
Рассмотрение рассеяния Мандельштама - Бриллюэна на основе экситонов - подяритонов [6.34] позволило Брен игу и др. [6.38] предсказать существование некоторых новых типов вол, участвующих в рассеянии при энергиях падающего света выше резонанса со свободными экситонами. Свободный экситон имеет конечную эффективную массу, поэтому фотонно-экситоштый по-ляритон характеризуется пространственной дисперсией, что показано схематически на фиг. [5]
Исследования рассеяния Мандельштама - Бриллюэна в объемных образцах плавленого кварца были проделаны [10] уже в 1950 г. Более поздние измерения [11], выполненные с одночастотным аргоновым лазером, показали, что VB 34 7 ГГц и A VB 54 МГц на длине волны Хр 486 нм. С учетом обратной зависимости VB от Хр в (9.1.4) величина AvB должна быть пропорциональна Х-2. В результате коэффициент ВРМБ-усиления почти не зависит от длины волны накачки. Если подставить в (9.1.6) типичные для плавленого кварца значения параметров, получится дв - 5 - Ю 11 м / Вт. [6]
Известно, что рассеяние Мандельштама - Брнллюэна может успешно использоваться для изучения акустических фононов в газах, жидкостях и твердых телах. В настоящей главе будут рассмотрены особенности рассеяния Мандельштама - Брил-люэна в полупроводниках. Скорость звука непосредственно определяется из сдвига частоты рассеянного света, следовательно, с помощью рассеяния Мандельштама - Бриллюэпа могут изучаться упругие постоянные и анизотропия скорости звука, релаксационные процессы, фазовые переходы и различные виды взаимодействий акустических фононов с другими низкочастотными возбуждениями. Ширина линии рассеянного света, которая может быть определена с помощью спектрометров высокого разрешения, дает информацию-о затухании акустических фононов вследствие энгармонизма, взаимодействия с носителями, структурных релаксационных явлений и других возможных механизмов. Интенсивность рассеяния света и правила отбора характеризуют взаимодействие фононов с электронными возбуждениями, которые ответственны за оптические свойства вещества, и связаны с характеристиками различного вида пьезо - и акусто-оптических приборов. [7]
В типичном случае рассеяние Мандельштама - Бриллюэна является дополнительным методом к стандартной ультразвуковой технике, используемой для изучения акустических свойств. Обычно рассеяние Мандельштама - Бриллюэна позволяет исследовать фононы с более высокой частотой, более сильным затуханием; кроме того, могут исследоваться меньшие объемы вещества. Часто бывает удобнее исследовать образец оптическим способом, чем посредством пьезоэлектрических контактов. [8]
Описываются основные закономерности рассеяния Мандельштама - Бриллюэна. [9]
Какими элементарными процессами описывается рассеяние Мандельштама - Бриллюэна в квантовой теории. [10]
С квантовой точки зрения рассеяние Мандельштама - Бриллюэна представляет собой процесс, в котором происходят уничтожение исходного фотона, рождение нового ( рассеянного) фотона и рождение или уничтожение фонона. [11]
Это явление получило название рассеяния Мандельштама - Бриллюэна. [12]
Это явление получило название рассеяния Мандельштама - Брнллюэна. [13]
Обратим внимание на определенное сходство рассеяния Мандельштама - Бриллюэна с комбинационным рассеянием света на молекулах. При рассеянии света частоты со на такой молекуле возможен как переход молекулы на более высокий колебательный уровень, так и переход ее на более низкий колебательный уровень. [14]
Существуют три типа экспериментов по рассеянию Мандельштама - Бриллюэна, в которых наблюдалась резонансная дисперсия коэффициента рассеяния вблизи края оптического поглощения в полупроводниках. Первыми были эксперименты Телла и др. [6.36], в которых изучалось рассеяние света на малые углы L / 1-фононами с частотой 50 МГц, распространяющимися вдоль а-оси в CdS и ZnO и генерируемыми внешним источником. [15]