Сильное рассеяние - электрон
Cтраница 1
Сильное рассеяние электронов, наблюдаемое при их прохождении через вещество, вызывает появление рефлексов в 108 - 108 раз большей интенсивности, чем при рассеянии рентгеновских лучей при одинаковых условиях. Интенсивность рефлексов настолько велика даже для очень тонких слоев, что можно наблюдать дифракционную картину рассеяния непосредственно на флуоресцирующем экране. Поэтому для получения фотографического изображения дифракционной картины время экспозиции составляет всего несколько секунд, в то время как для получения рентгенограммы необходима экспозиция в несколько часов. Еще одним преимуществом высокой рассеивающей способности в случае электронного пучка является возможность использования малых количеств вещества для получения электронограмм. Так, при благоприятных условиях съемки требуется всего около 10 - 8 г вещества. Однако, с другой стороны, именно это свойство ограничивает область использования методов, основанных на дифракции электронов. Увеличение толщины образца вызывает настолько сильное поглощение электронов, что в этом случае уже не удается наблюдать дифракционной картины рассеивания. [1]
Сильное рассеяние электронов, проходящих через образец, приводит к тому, что интенсивность дифракции в 106 - 10 раз выше интенсивности, достигаемой в аналогичных условиях при использовании рентгеновского излучения. [2]
Она ограничена точностью выполнения маски, искажениями ( аберрациями) электронно-оптических систем, взаимодействием электронов в пучке, не позволяющим формировать пучки малого диаметра, а также сильным рассеянием электронов в слое резиста. [3]
 |
Данные, которые м / жно получить методом СЭМ при бомбардировке образца пучком электронов [ О. 66 ]. [4] |
Колонна микроскопа ( от электронной пушки до образца) откачивается до высоких степеней разрежения ( 10 - 5 мм рт. ст.) ротационным и маслянодиффузионным вакуумным насосами, чтобы исключить сильное рассеяние электронов воздухом. [5]
 |
Электростатическая электронная линза и ее оптический аналог. Цилиндры при различных потенциалах Уа и. ъ. [6] |
Колонна микроскопа ( от электронной пушки до флуоресцентного экрана) откачивается до высокой степени разрежения ( Ю-5 мм рт. ст.) с помощью ротационного и маслянодиффузион-ного насосов, предотвращая таким способом сильное рассеяние электронов воздухом. [7]
 |
Электростатическая электронная линза и ее оптический аналог. Цилиндры при различных потенциалах Уа и W. [8] |
Колонна микроскопа ( от электронной пушки до флуоресцентного экрана) откачивается до высокой степени разрежения ( 10 - 5 мм рт. ст.) с помощью ротационного и маслянодиффузион-ного насосов, предотвращая таким способом сильное рассеяние электронов воздухом. [9]
Картину электронной дифракции - электронограмму - получают как на просвет от образца толщиной порядка нескольких десятков нанометров, так и на отражение от плоского образца, поставленного так, что электронный луч практически скользит по его поверхности, образуя с ней угол в несколько минут. Благодаря чрезвычайно сильному рассеянию электронов при почти полном отсутствии поглощения, а также использованию при получении электронограмм почти всей мощности электронного пучка интенсивность дифракционных максимумов электроно-граммы очень высокая. [10]
 |
Принцип получения изображения в теневом алектрошюм микроскопе.| Схема образования двухступенчатого отпечатка. [11] |
В результате сильного рассеяния электронов на участках объекта, более сильно оттененных металлом, создается контрастное изображение. При изучении косвенным способом топографии поверхности кристаллов эффективно напыление металлпч. [12]
Средний потенциал возбуждения / в формуле (3.3) учитывает влияние энергии связи электронов среды на потери энергии; он равен / kZ, где k - постоянная, определяемая экспериментально; значения ее. Средний потенциал возбуждения определяется в экспериментах поглощения тяжелых заряженных частиц веществом, поскольку сильное рассеяние электронов затрудняет получение надежных результатов. [13]
Раньше других были открыты и изучены колебания ограниченной плазмы, которые зависят от существования колебательных слоев в плазме вблизи окружающих ее электродов. Колебательные слои в плазме были открыты в связи с так называемым парадоксом Ленг-мюра ( так назвал возникающее явление Габор), состоящем в сильном рассеянии электронов пучка ( наличие электронов с большими скоростями) и их максвеллизация ( установление максвелловского распределения по скоростям) в положительном столбе газового разряда. Ни столкновения, ни кулоновские силы не могут обеспечить столь сильный обмен энергией между электронами, который приводил бы к этим явлениям. Оказалось, что эти явления связаны с существованием больших градиентов потенциала в колеблющихся слоях плазмы. [14]
Страницы: 1 2