Динамическое рассеяние

Cтраница 1

Динамическое рассеяние наблюдается в основном з нематических жидких кристаллах и вызывает изменение прозрачности жидкокристаллического слоя при воздействии на него электрического поля. Сущность эффекта динамического рассеяния заключается в образовании локальных неоднородностей в слое жидкого кристалла, которые рассеивают свет. Величина рассеяния зависит от величины электрического поля. [1]

Динамическое рассеяние начинается при напряжении 3 8 В, становится заметным при 4 5 В и достигает насыщения при 6 В. [2]

Динамическое рассеяние ЖК объясняется колебаниями значения показателя преломления. Основная часть падающего света ( 95 %) рассеивается вперед. Видимость показаний индикатора на ЖК зависит от условий внешней освещенности. [3]

Динамическое рассеяние света возникает в ЖК при дальнейшем повышении напряженности электрического поля; при этом домены исчезают и всю ЖК-фазу охватывает турбулентное движение молекул, из-за которого свет практически полностью рассеивается и в области приложенного поля ЖК становится непрозрачным. [4]

Зависимость интенсивности прошедшего света от напряжения для эффекта фазового перехода.| Зависимость переходных времен эффекта фазового перехода от напряжения смещения. [5]

Эффекты динамического рассеяния, памяти и фазовый переход в одном из состояний рассеивают свет, поэтому здесь светотехническая схема несколько сложнее. [6]

Эффект динамического рассеяния с памятью наиболее привлекателен для систем отображения с невысокой частотой смены информации. При этом схема управления может включаться только на время записи и стирания информации, тогда как поддержание записанного состояния происходит за счет свойств жидкого кристалла. Широкому использованию этого эффекта препятствуют, по крайней мере в настоящее время, значительные управляющие напряжения записи и стирания, причем для последней операции необходимо синусоидальное, достаточно высокочастотное напряжение ( более 1 кГц), плохо поддающееся коммутации. [7]

Вычисления динамического рассеяния непериодическими объектами, такими, как дефекты в кристаллах или небольшие частицы или молекулы, проведены почти исключительно с использованием колонкового приближения, описанного в гл. Для каждой колонки образца расчеты проводятся одним из методов, описанных в последней главе, или слоевым методом, который позволяет рассматривать изменения структуры или смещения элементарной ячейки. [8]

Для динамического рассеяния, включающего взаимодействия двух или более дифракционных пучков между собой и с падающим пучком, это ограничение снимается. [9]

Трактовка динамического рассеяния электронов несовершенными кристаллами на той же основе, что и экстинкционная трактовка дифракции рентгеновских лучей или нейтронов, вряд ли возможна. В самом деле, в пределах кристаллических областей, гораздо меньших обычного размера блока мозаики, имеют место сильные динамические эффекты; кроме того, на пути пучка электронов при прохождении его через монокристаллический образец редко встречается больше одного или двух блоков мозаики. [10]

Использованию эффекта динамического рассеяния в устройствах ПВМС с прямой матричной адресацией препятствует, на первый взгляд, малая крутизна модуляционной характеристики. Дополнительные возможности для реализации ПВМС с большим объемом информации дает также применение в них нелинейных элементов и материалов с нелинейной вольт-амперной характеристикой ( например, сегнетоэлектрическоп керамики, окиси цинка и др.) в структуре типа сэндвич с ЖК ( см. [27], стр. Особенно высокой нелинейностью обладают структуры на основе аморфного кремния с барьерами Шотки. Они позволяют коммутировать более 1000 строк ПВМС в мультиплексном режиме. [11]

Контрастные кривые для динамического рассеяния и твист-эффекта недостаточно круты и без применения специальных мер не могут быть использованы для создания матриц с числом строк, превышающим несколько десятков. Для фазового перехода ХЖК - НЖК параметр р заметно меньше, и на этом эффекте можно реализовать матрицы с числом строк порядка нескольких сотен. [12]

Это явление называют динамическим рассеянием. Именно оно первым среди электрооптических эффектов в ЖК нашло широкое применение в индикаторных устройствах н ПВМС. [13]

Снятие напряжения после возникновения динамического рассеяния переводит ХЖК в конфокальную, рассеивающую свет текстуру. Поэтому, если исходное состояние ХЖК было планарным ( светорассеяние отсутствует), то после снятия некоторого напряжения ХЖК будет находиться в светорассеивающем состоянии. [14]

Обращаясь к экспериментальным исследованиям динамического рассеяния, посвященным количественной проверке теории, следует прежде всего рассмотреть трудности, возникающие при попытке реализации приближения падающей плоской волны. Эти трудности связаны главным образом с использованием характеристического излучения рентгеновской трубки. Действительно, как известно, спектральная ширина этого излучения, так же как и угловая ] расходимость, значительно превосходит соответствующие параметры динамических максимумов, а тем более их тонкой структуры. [15]

Страницы: 1 2 3 4