Cтраница 3
Это облегчает гашение электрической дуги в патроне, так как при перегорании ленточек плавкой вставки возникает одновременно несколько параллельных дуг, что способствует интенсивному рассеянию энергии дуги по большему объему наполнителя патрона. [31]
Температурные зависимости подвижности ( а и проводимости ( б p - Si при различной степени легирования. [32] |
Большим р могут обла - дать и компенсированные полупроводники, в которых Na-Nd, поэтому концентрация носителей заряда определяется шириной запрещенной зоны, а подвижность падает благодаря интенсивному рассеянию на примесях. [33]
Можно ожидать, что в случае, когда антикристаллические кластеры образованы распрямленными участками цепей, не образующих складок, размораживание сегментального движения будет происходит в сравнительно узком интервале температур, и проведение динамических измерений механических параметров будет связано с интенсивным рассеянием энергии акустических колебаний. Переход из стеклообразного в высокоэластическое состояние у полимеров, имеющих антикристаллические кластеры, образованные складками полимерных цепей, видимо, должен происходить в более широком интервале температур, что приведет к уменьшению высоты пика tg8 и к расширению области перехода. [34]
Хотя для применения метода Цимма нужно располагать большим числом данных, чем для применения метода, основанного на асимметрии рассеяния, преимущество метода Цимма состоит в том, что он позволяет определять молекулярный вес молекул любой формы, а также обнаруживать присутствие крупных агрегированных частиц по интенсивному рассеянию на малых углах. [35]
Интенсивное рассеяние рентгеновских лучей под малыми углами, как известно, характерно для материалов, построенных из мелких отдельных частичек. Таким материалом является, например, сухой порошкообразный силикагель, состоящий из дискретных частиц размером 10 - 100 А. Следовательно, малоугловое рассеяние может служить доказательством неоднородности исследуемого вещества. [36]
Особо благоприятные условия для возникновения значительных флуктуации плотности создаются вблизи критического состояния вещества. Появление интенсивного рассеяния света известно под названием критической опалесценции. Резкое возрастание интенсивности молекулярного рассеяния наблюдается в растворах при критической температуре смешения, когда возникают сильные флуктуации концентраций. [37]
Особенно благоприятные условия для возникновения значительных флуктуации плотности создаются вблизи критического состояния вещества. Появление интенсивного рассеяния света известно под названием критической опалесценции. Резкое возрастание интенсивности молекулярного рассеяния наблюдается в растворах при критической температуре смешения, когда возникают сильные флуктуации концентраций. [38]
Если пучок интенсивного белого света направить на прямоугольную кювету, наполненную мутной жидкостью ( например, вода и несколько капель молока), то след светового пучка в такой кювете хорошо виден. Благодаря интенсивному рассеянию коротковолновой части, прошедший нерассеянный пучок света ( в направлении В) относительно обогащен длинноволновым излучением и свет имеет красноватый оттенок. [39]
Интерференция волн, рассеянных под углом 9.| Интерференция волн, рассеянных под углом 9 от двух атомов, находящихся в соседних плоскостях кристаллической решетки. [40] |
Если рассмотреть рассеяние пучка рентгеновских лучей от системы ионов цезия, находящихся в одной плоскости, то в соответствии с общими положениями оптики можно убедиться, что совпадение по фазе во фронте рассеянной волны будет лишь в случае, если оно наблюдается в направлении под углом, равным углу падения исходного пучка на плоскость. Иными словами, интенсивное рассеяние от каждой плоскости по отдельности происходит лишь под углом, соответствующим отраженной электромагнитной волне. Действительно ( рис. 69), нетрудно видеть, что две волны, находящиеся в фазе во фронте падающей волны и рассеянные соответственно атомами А и В, расположенными на расстоянии d друг от друга, пройдут разное расстояние до точки формирования фронта рассеянной волны, а именно d cos 0 для волны, рассеянной атомом А, и dcosG для волны, рассеянной атомом В. При несовпадении угла падения 8 и угла рассеяния 9 волны будут смещены по фазе, и так как рассеянный пучок формируется из огромного числа рассеянных волн с самыми разнообразными сдвигами по фазе, то будут наблюдаться интерференция и гашение рассеянных волн во всех направлениях, не соответствующих углу отражения. [41]
Введение в каучук стеариновой кислоты не изменяет интенсивности рассеяния, и кривые МУРР совпадают с фоном кривой рассеяния чистого СКД. Добавление в каучук ZnO вызывает интенсивное рассеяние, быстро уменьшающееся при увеличении угла рассеяния до 100 угловых минут. [42]
Расчет параметра рассеяния г ( из & и а0) при 100 К для тонких пленок показал, что с уменьшением толщины пленки уменьшается г и для d 0 05 мкм параметр близок к нулю. Это еще раз свидетельствует об интенсивном рассеянии электронов на поверхностях пленки. Для такого рассеяния длина свободного пробега 1е определяется толщиной пленки и не зависит от энергии носителей. Более того, для такого механизма рассеяния в случае-вырожденной статистики подвижность не зависит от температуры что и наблюдается для пленки с d 0 05 мкм при уменьшении температуры от 100 до 4 2 К. [43]
Расчет параметра рассеяния г ( из а и а0) при 100 К для тонких пленок показал, что с уменьшением толщины пленки уменьшается г и для d 0 05 мкм параметр близок к нулю. Это еще раз свидетельствует об интенсивном рассеянии электронов на поверхностях пленки. Для такого рассеяния длина свободного пробега 1е определяется толщиной пленки и не зависит от энергии носителей. Более того, для такого механизма рассеяния в случае-вырожденной статистики подвижность не зависит от температуры, что и наблюдается для пленки с d 0 05 мкм при уменьшении температуры от 100 до 4 2 К. [44]
Разборная кювета для жидких проб в ЯК-спектрофотометре ( Beckman Instruments, Inc.. [45] |